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PUB4410

更新时间： 2024-11-29 20:00:43

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松下 - PANASONIC		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	205K
描述
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 10 Pin, SIP-10

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PUB4410 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SIP
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T10	针数：	10
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	2 BANKS, COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	10
JESD-30 代码：	R-PSIP-T10	元件数量：	4
端子数量：	10	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	30 MHz
Base Number Matches：	1

PUB4410 数据手册

Power Transistor Arrays

PUB4110 (PU4110), PUB4410 (PU4410)

Silicon NPN triple diffusion planar type

For power amplification/switching

Complementary to PUB4210 (PU4210), PUB4510 (PU4510)

Unit: mm

■ Features

25.3 0.2

4.0 0.2

• High forward current transfer ratio h_FEwhich has satisfactory linearity

• Low collector-emitter saturation voltage V_CE(sat)

• PUB4110 (PU4110): NPN 4 elements

0.8 0.25

0.5 0.15

PUB4410 (PU4410): NPN 2 elements × 2

0.5 0.15

1.0 ^0.25

■ Absolute Maximum Ratings T_C= 25°C

2.54 0.2

Parameter

Symbol

Rating

Unit

9 × 2.54 = 22.86 0.25

1: Emitter

2: Base

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

C 1.5 0.5

3: Collector

4: Base

5: Collector

6: Base

7: Collector

8: Base

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector current

V_CEO

V_EBO

I_C

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

Peak collector current

Base current

I_CP

9: Collector

10:Emitter

SIP10-A1 Package

I_B

Collector power dissipation

T_a= 25°C

P_C

3.5

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

°C

T_stg

−55 to +150

■ Electrical Characteristics T_C= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CEO

V_BE

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-emitter voltage (Base open)

Base-emitter voltage

I_C= 30 mA, I_B= 0

V_CE= 4 V, I_C= 3 A

V_CE= 60 V, V_BE= 0

V_CE= 30 V, I_B= 0

V_EB= 6 V, I_C= 0

1.8

200

300

Collector-emitter current (E-B short)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio

I_CES

µA



I_CEO

I_EBO

h_FE1

V_CE= 4 V, I_C= 1 A

V_CE= 4 V, I_C= 3 A

250

h_FE2

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

Turn-on time

V_CE(sat)I_C= 3 A, I_B= 0.375 A

1.2

MHz

µs

f_T

t_on

t_stg

t_f

V_CE= 10 V, I_C= 0.5 A, f = 10 MHz

0.5

2.5

0.4

I_C= 1 A

Storage time

I_B1= 0.1 A, I_B2= − 0.1 A

V_CC= 50 V

µs

Fall time

µs

Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

■ Internal Connection

• PUB4110

• PUB4410

Note) The part numbers in the parenthesis show conventional part number.

Publication date: March 2004

SJK00058AED

12 3

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