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PUB4419P

更新时间： 2024-11-29 19:03:03
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 87K
描述
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 10 Pin, SIP-10

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PUB4419P 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SIP
包装说明：SIP-10针数：10
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.84
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：COMPLEX最小直流电流增益 (hFE)：2000
JESD-30 代码：R-PSIP-T10元件数量：4
端子数量：10封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：20 MHz
Base Number Matches：1

PUB4419P 数据手册

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Power Transistor Arrays  
PUB4119 (PU4119), PUB4419 (PU4419)  
Silicon NPN triple diffusion planar type darlington  
For power amplification/switching  
Unit: mm  
Complementary to PUB4219 (PU4219), PUB4519 (PU4519)  
25.3 0.2  
4.0 0.2  
■ Features  
• High forward current transfer ratio hFE  
• High-speed switching  
• PUB4119 (PU4119): NPN 4 elements  
0.8 0.25  
0.5 0.15  
PUB4419 (PU4419): NPN 2 elements × 2  
0.5 0.15  
1.0 0.25  
■ Absolute Maximum Ratings TC = 25°C  
2.54 0.2  
Parameter  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
9 × 2.54 = 22.86 0.25  
1: Emitter  
2: Base  
Collector-base voltage (Emitter open) VCBO  
60  
C 1.5 0.5  
3: Collector  
4: Base  
5: Collector  
6: Base  
7: Collector  
8: Base  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Emitter-base voltage (Collector open)  
Collector current  
VCEO  
VEBO  
IC  
60  
V
5
V
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10  
2
A
Peak collector current  
Collector power dissipation  
Ta = 25°C  
ICP  
4
15  
A
9: Collector  
10:Emitter  
SIP10-A1 Package  
PC  
W
3.5  
Junction temperature  
Tj  
150  
°C  
°C  
Storage temperature  
Tstg  
−55 to +150  
■ Electrical Characteristics TC = 25°C 3°C  
Parameter  
Symbol  
VCEO  
VBE  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
V
Collector-emitter voltage (Base open)  
Base-emitter voltage  
IC = 30 mA, IB = 0  
60  
VCE = 4 V, IC = 2 A  
VCB = 60 V, IE = 0  
VCE = 30 V, IB = 0  
VEB = 5 V, IC = 0  
VCE = 4 V, IC = 1 A  
VCE = 4 V, IC = 2 A  
2.8  
1
V
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
Collector-emitter cutoff current (Base open)  
Emitter-base cutoff current (Collector open)  
Forward current transfer ratio  
ICBO  
mA  
mA  
mA  
ICEO  
2
IEBO  
2
hFE1  
1000  
1000  
*
hFE2  
10000  
2.5  
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
Turn-on time  
VCE(sat) IC = 2 A, IB = 8 mA  
V
MHz  
µs  
µs  
µs  
fT  
ton  
tstg  
tf  
VCE = 10 V, IC = 0.5 A, f = 1 MHz  
20  
0.5  
4.0  
1.0  
IC = 2 A  
Storage time  
IB1 = 8 mA, IB2 = −8 mA  
VCC = 50 V  
Fall time  
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
2. : Rank classification  
*
Rank  
Free  
P
Q
hFE  
1000 to 10000 2000 to 10 000 1000 to 5000  
■ Internal Connection  
• PUB4119  
• PUB4419  
3
5
7
9
3
5
7
9
4
6
8
4
6
8
2
1
2
1
10  
10  
Note) The part numbers in the parenthesis show conventional part number.  
Publication date: March 2004  
SJK00061AED  
1
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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