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PUB4423

更新时间： 2024-11-27 20:38:19

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松下 - PANASONIC		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	212K
描述
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 70V V(BR)CEO, 4-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 10 Pin, SIP-10

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PUB4423 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SIP
包装说明：	SIP-10	针数：	10
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	70 V
配置：	2 BANKS, COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	1000
JESD-30 代码：	R-PSIP-T10	元件数量：	4
端子数量：	10	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	20 MHz
Base Number Matches：	1

PUB4423 数据手册

Power Transistor Arrays

PUB4123 (PU4123), PUB4423 (PU4423)

Silicon NPN triple diffusion planar type darlington

For power amplification

Unit: mm

■ Features

• Built-in zener diode (60 V) between collector and base

• Small variation in withstand pressure

25.3 0.2

4.0 0.2

• Large energy handling capability

• High-speed switching

• PUB4121 (PU4121): NPN 4 elements

PUB4421 (PU4421): NPN 2 elements × 2

0.8 0.25

0.5 0.15

1.0 ^0.25

■ Absolute Maximum Ratings T_C= 25°C

2.54 0.2

9 × 2.54 = 22.86 0.25

Parameter

Symbol

Rating

Unit

1: Emitter

2: Base

3: Collector

4: Base

5: Collector

6: Base

7: Collector

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

60 10

C 1.5 0.5

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector current

V_CEO

V_EBO

I_C

60 10

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

8: Base

9: Collector

10: Emitter

SIP10-A1 Package

Peak collector current

Collector power dissipation

T_a= 25°C

I_CP

P_C

3.5

Junction temperature

T_j

150

°C

Storage temperature

T_stg

−55 to +150

■ Electrical Characteristics T_C= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CEO

I_CBO

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-emitter voltage (Base open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio

I_C= 5 mA, I_B= 0

V_CB= 50 V, I_E= 0

V_EB= 5 V, I_C= 0

V_CE= 4 V, I_C= 1 A

V_CE= 4 V, I_C= 2 A

100

µA



I_EBO

h_FE1

1000

h_FE2

10000

2.5

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

Turn-on time

V_CE(sat)I_C= 2 A, I_B= 8 mA

V_BE(sat)I_C= 2 A, I_B= 8 mA

2.5

f_T

t_on

t_stg

t_f

V_CE= 10 V, I_C= 0.5 A, f = 1 MHz

0.4

3.0

1.0

MHz

µs

I_C= 2 A

Storage time

I_B1= 8 mA, I_B2= −8 mA

V_CC= 50 V

µs

Fall time

µs

Energy handling capability ^*

E_s/b

I_C= 0.71 A, L = 100 mH, R_BE= 100 Ω

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. 1: Rank classification

2: E_s/btest circuit

Mercury relay

Rank

Free

h_FE

1000 to 10000 2000 to 10 000 1000 to 5000

R_BE

Note) The part numbers in the parenthesis show conventional part number.

Publication date: March 2004

SJK00066AED

12 3

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