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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PUB4520 | PANASONIC |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 1 |
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| PUB4520(PU4520) | ETC |
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複合デバイス － パワートランジスタアレイ |
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| PUB4520P | PANASONIC |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 1 |
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| PUB4520Q | PANASONIC |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 1 |
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| PUB4573(PU4573) | ETC |
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複合デバイス － パワートランジスタアレイ |
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| PUB4701 | PANASONIC |
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Silicon N-Channel Power F-MOS FET |
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| PUB4702 | PANASONIC |
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Silicon N-Channel Power F-MOS FET |
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| PUB4753 | ETC |
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Composite Device - Power Transistor Arrays |
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| PUB4753(PU7457) | ETC |
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PUB4753 (PU7457) - N-Channel Power F-MOS FET (with built-in zener diode) |
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| PUC01C724500V | ETC |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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