PTF041501E

更新时间： 2024-11-11 00:04:27

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英飞凌 - INFINEON		晶体射频场效应晶体管放大器局域网
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描述
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 150W, 450-500MHZ

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PTF041501E 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XDFM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.82
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	65 V	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-XDFM-F2
JESD-609代码：	e4	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	500 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	GOLD
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PTF041501E 数据手册

PTF041501E

PTF041501F

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs

150 W, 450 – 500 MHz

Description

The PTF041501E and PTF041501F are thermally-enhanced, 150-

watt, internally-matched GOLDMOS FETs intended for ultra-linear

CDMA applications. They are characaterized for CDMA and

CDMA2000 operation from 450 to 470 MHz. Thermally-enhanced

packaging provides the coolest operation available. Full gold

metallization ensures excellent device lifetime and reliability.

PTF041501E

Package 30260

PTF041501F

Package 31260

Features

CDMA IS-95 Performance

•

Thermally-enhanced packages

V_DD= 28 V, I_DQ= 900 mA, f = 470 MHz

Broadband internal matching

Typical CDMA performance at 470 MHz, 28 V

- Average output power = 32 W

- Linear Gain = 21 dB

-10

-20

-30

-40

-50

-60

-70

Efficiency

- Efficiency = 31%

•

Typical CW performance, 470 MHz, 28 V

- Output power at P–1dB = 165 W

- Efficiency = 61%

ACP F_C– 0.75 MHz

Integrated ESD protection: Human Body Model,

Class 1 (minimum)

ACPR F_C+ 1.98 MHz

•

Excellent thermal stability

Low HCI drift

Capable of handling 5:1 VSWR @ 28 V, 150 W

(CW) output power

36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47

Output Power (dBm), Avg.

RF Characteristics

3-Carrier CDMA2000 Measurements (not subject to production test—verified by design/characterization in Infineon test

fixture)

= 28 V, I

= 900 mA, P

= 60 W average, f = 470 MHz

OUT

Characteristic

Gain

Symbol

Min

—

Typ

Max

—

Unit

Drain Efficiency

η_D

—

Adjacent Channel Power Ratio

ACPR

—

–45

—

All published data at T

= 25°C unless otherwise indicated

CASE

ESD: Electrostatic discharge sensitive device—observe handling precautions!

Data Sheet 1 of 11

Rev. 03, 2005-04-15

12 3 4 5 6 7...11

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与PTF041501E相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PTF041501F	INFINEON	获取价格	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 150W, 450-500MHZ
PTF08	OMRON	获取价格	General Purpose Relay
PTF080101	INFINEON	获取价格	LDMOS RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR 10W, 860-960MHZ
PTF080101M	INFINEON	获取价格	LDMOS RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR 10W, 450-960MHZ
PTF080101S	INFINEON	获取价格	LDMOS RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR 10W, 860-960MHZ
PTF080101S-	INFINEON	获取价格	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 10W, 860-960 MHz
PTF080101S-DS1	INFINEON	获取价格	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 10W, 860-960 MHz
PTF080451	INFINEON	获取价格	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 45 W, 869-960 MHz
PTF080451E	INFINEON	获取价格	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 45 W, 869-960 MHz
PTF080451E-DS1A	INFINEON	获取价格	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 45W, 869-960 MHz

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