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PT85QWD45

更新时间： 2024-09-09 19:20:59

品牌	Logo	应用领域
DYNEX		栅栅极
页数	文件大小	规格书
6页	66K
描述
Assymetric SCR, 2625A I(T)RMS, 4500V V(DRM), 16V V(RRM), 1 Element, W, 4 PIN

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PT85QWD45 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	DISK BUTTON, O-CXDB-X4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.67
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	1500 mA
JESD-30 代码：	O-CXDB-X4	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	2625 A	断态重复峰值电压：	4500 V
重复峰值反向电压：	16 V	表面贴装：	YES
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	ASSYMETRIC SCR
Base Number Matches：	1

PT85QWD45 数据手册

PT85QWx45

Pulse Power Thyristor Switch

Preliminary Information

DS5334-1.2 April 2000

APPLICATIONS

● Pulse Power

KEY PARAMETERS

V_DRM

I_T(AV)

I_TSM

4500V

1670A

37000A

● Crowbars

● Ignitron Replacement

dI/dt

22000A/µs

FEATURES

● Double Side Cooling

● Fast Turn-on

● Low Turn-on Losses

VOLTAGE RATINGS

Type Number

Repetitive Peak

Conditions

Voltages

V_DRM/V_RRM

4500/16

PT85QWx45

T_vj= 0˚ to 125˚C,

_DRM= I_RRM= 50mA,

V_DRM, V_RRMt_p= 10ms

Outline type code: W.

See Package Details for further information.

Lower voltage grades available.

Fig.1 Package outline

CURRENT RATINGS

Symbol

Parameter

Conditions

Max.

Units

Double Side Cooled

I_T(AV)

Mean on-state current

RMS value

Half wave resistive load, T_case= 80^oC

T_case= 80^oC

1670

2625

I_T(RMS)

1/6

12 3 4 5 6

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