WUXI NCE POWER SEMICONDUCTOR CO., LTD (新洁能) 更新时间：2024-03-03 10:11:12
无锡新洁能股份有限公司（以下简称“公司”）成立于2013年1月，注册资本为21,300万元，拥有新洁能香港、电基集成、金兰功率半导体、国硅集成电路四家子公司以及深圳分公司、宁波分公司。目前公司员工总共360余人，其中研发人员100余人。公司成立以来即专注于MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发、设计及销售，产品优质且系列齐全，广泛应用于消费电子、汽车电子、工业电子、新能源汽车及充电桩、智能装备制造、轨道交通、光伏新能源、5G等领域；未来随着云计算、大数据、智能电网、无人驾驶等领域的蓬勃发展，公司产品将在该等新兴领域发挥重要作用。
| 型号 | 品牌 | 价格 | 文档 | 应用 | 描述 | |
| NCE0130A | NCEPOWER | 获取价格 |  |
开关 | 新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFE | |
| NCE07TD60BF | NCEPOWER | 获取价格 | |
双极性晶体管 | 新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（Inje | |
| NCEP12N12AS | NCEPOWER | 获取价格 | |
栅栅极 | 新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超 | |
| NCE20TH60BF | NCEPOWER | 获取价格 | |
双极性晶体管 | 新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（Inje | |
| NCEP040N10M | NCEPOWER | 获取价格 | |
栅栅极 | 新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超 | |
| NCEP11N10AS | NCEPOWER | 获取价格 | |
栅栅极 | 新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超 | |
| NCE30D0808J | NCEPOWER | 获取价格 | |
????新洁能提供的P型20V~60V和N型18V~100V的Dual（双芯）MOSFET | ||
| NCEP008N30GU | NCEPOWER | 获取价格 | |
栅栅极 | 新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超 | |
| NCE3N150 | NCEPOWER | 获取价格 | |
???新洁能推出了1500V和1700V系列功率VDMOS，具有如下特点：1）?耐压余量大 | ||
| NCE60N670F | NCEPOWER | 获取价格 | |
新洁能提供击穿电压等级范围为500V至1050V的N沟道SJ-IV系列功率MOSFET产品 | ||
| NCE4080K | NCEPOWER | 获取价格 | |
开关 | 新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFE | |
| NCEP026N10M | NCEPOWER | 获取价格 | |
栅栅极 | 新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超 | |
| NCEP0160F | NCEPOWER | 获取价格 | |
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品，以 | ||
| NCE30NP1812G | NCEPOWER | 获取价格 | |
新洁能提供的12V~100VComplementary（N、P型互补式）MOSFET产品， | ||
| NCE0130GA | NCEPOWER | 获取价格 | |
开关 | 新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFE | |
| NCE3050KA | NCEPOWER | 获取价格 | |
开关 | 新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFE | |
| NCEP25N10AK | NCEPOWER | 获取价格 | |
栅栅极 | 新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超 | |
| NCE30H15K | NCEPOWER | 获取价格 | |
开关 | 新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFE | |
| NCE3400XY | NCEPOWER | 获取价格 | |
开关 | 新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFE | |
| NCE3400X | NCEPOWER | 获取价格 | |
开关 | 新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFE | |
| NCE60H15A | NCEPOWER | 获取价格 | |
开关 | 新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFE | |
| NCEP023N85T | NCEPOWER | 获取价格 | |
栅栅极 | 新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超 | |
| NCE0157A | NCEPOWER | 获取价格 | |
开关 | 新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFE | |
| NCE6020AK | NCEPOWER | 获取价格 | |
开关 | 新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFE | |
| NCE55P04S | NCEPOWER | 获取价格 | |
????新洁能提供的P型20V~60V和N型18V~100V的Dual（双芯）MOSFET | ||
| NCE0110K | NCEPOWER | 获取价格 | |
开关 | 新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFE | |
| NCE15TD60BD | NCEPOWER | 获取价格 | |
双极性晶体管 | 新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（Inje | |
| NCE6080AT | NCEPOWER | 获取价格 | |
开关 | 新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFE | |
| NCEP025N12LL | NCEPOWER | 获取价格 | |
栅栅极 | 新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超 | |
| NCE50NF330K | NCEPOWER | 获取价格 | |
二极管 | 新洁能提供击穿电压等级范围为500V至650V的N沟道SJ-IVNF系列功率MOSFET产 | |
WUXI NCE POWER SEMICONDUCTOR CO., LTD (新洁能) 热门型号
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