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NCE55P04S

更新时间： 2024-11-19 15:19:35

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新洁能 - NCEPOWER		/
页数	文件大小	规格书
7页	358K
描述
????新洁能提供的P型20V~60V和N型18V~100V的Dual（双芯）MOSFET产品，通过将两颗P型或者N型的功率MOSFET产品以并联合封的方式集成到单个封装中，极大程度上优化了产品结

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NCE55P04S 数据手册

http://www.ncepower.com

NCE55P04S

NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description

The NCE55P04S uses advanced trench technology and

design to provide excellent R_DS(ON)with low gate charge. It

can be used in a wide variety of applications.

Schematic diagram

General Features

● V_DS=-55V,I_D=-4A

R_DS(ON)<82mΩ @ V_GS=-10V

● High density cell design for ultra low Rdson

● Fully characterized avalanche voltage and current

● Excellent package for good heat dissipation

Marking and pin assignment

Application

●

Power switching application

Hard switched and high frequency circuits

DC-DC Converter

SOP-8 top view

Tape width

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Device Package

Reel Size

Quantity

4000 units

NCE55P04S

SOP-8

Ø330mm

12mm

Absolute Maximum Ratings (T_A=25℃unless otherwise noted)

Parameter Symbol

Limit

-55

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current-Continuous

V^DS

V^GS

±20

-4

-2.8

I_D

Drain Current-Continuous(T_C=100℃)

Pulsed Drain Current

I_D(100℃)

I_DM

-25

Maximum Power Dissipation

℃

P_D

Operating Junction and Storage Temperature Range

-55 To 150

T_J,T_STG

Thermal Characteristic

Thermal Resistance ,Junction-to-Ambient^{(Note 2)}

R_θJA

℃/W

Electrical Characteristics (T_A=25℃unless otherwise noted)

Parameter Symbol Condition

Min Typ

Max

Unit

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page1

V1.0

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