WUXI NCE POWER SEMICONDUCTOR CO., LTD (新洁能) 更新时间:2024-03-03 10:09:31
无锡新洁能股份有限公司(以下简称“公司”)成立于2013年1月,注册资本为21,300万元,拥有新洁能香港、电基集成、金兰功率半导体、国硅集成电路四家子公司以及深圳分公司、宁波分公司。目前公司员工总共360余人,其中研发人员100余人。公司成立以来即专注于MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发、设计及销售,产品优质且系列齐全,广泛应用于消费电子、汽车电子、工业电子、新能源汽车及充电桩、智能装备制造、轨道交通、光伏新能源、5G等领域;未来随着云计算、大数据、智能电网、无人驾驶等领域的蓬勃发展,公司产品将在该等新兴领域发挥重要作用。
型号 | 品牌 | 价格 | 文档 | 应用 | 描述 | |
NCE3065Q | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
开关 | 新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFE | |
NCEP0160AG | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品,以 | ||
NCE0130KA | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
开关 | 新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFE | |
NCEP3060EQ | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品,以 | ||
NCEP11N10AGU | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
栅栅极 | 新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超 | |
NCE01P18K* | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
开关 | 新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFE | |
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新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品,以 | ||
NCE9926 | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
????新洁能提供的P型20V~60V和N型18V~100V的Dual(双芯)MOSFET | ||
NCE15TD120LP | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
开关双极性晶体管 | 新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构 | |
NCE60ND08S | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
开关 | 新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFE | |
NCE65N900D | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
新洁能提供击穿电压等级范围为500V至1050V的N沟道SJ-IV系列功率MOSFET产品 | ||
NCE40P07S | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
开关 | 新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFE | |
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栅栅极 | 新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超 | |
NCE65N520F | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
新洁能提供击穿电压等级范围为500V至1050V的N沟道SJ-IV系列功率MOSFET产品 | ||
NCEP02590D | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品,以 | ||
NCEP40PT15D | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
栅栅极 | 新洁能提供击穿电压等级范围为-30V至-100V的P沟道SGT-I系列功率MOSFET产品 | |
NCE40H10K | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
开关 | 新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFE | |
NCE2312A | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
开关 | 新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFE | |
NCE8290 | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
开关 | 新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFE | |
NCEP60T20A | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品,以 | ||
NCE80TC65BT | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
双极性晶体管 | 新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强(Inje | |
NCEP035N85 | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
栅栅极 | 新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超 | |
NCEP035N85D | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
栅栅极 | 新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超 | |
NCE80T320D | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
开关栅栅极 | 新洁能提供击穿电压等级范围为500V至800V的N沟道SJ-III系列功率MOSFET产品 | |
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开关栅栅极 | 新洁能提供击穿电压等级范围为500V至800V的N沟道SJ-III系列功率MOSFET产品 | |
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新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品,以 | ||
NCEP070N10AGU | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
栅栅极 | 新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超 | |
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二极管 | 新洁能提供击穿电压等级范围为500V至650V的N沟道SJ-IVNF系列功率MOSFET产 | |
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????新洁能提供的P型20V~60V和N型18V~100V的Dual(双芯)MOSFET | ||
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栅栅极 | 新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超 |
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