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NCE40P07S

更新时间： 2024-11-14 15:18:43

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新洁能 - NCEPOWER		开关
页数	文件大小	规格书
7页	705K
描述
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFET产品，采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等

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NCE40P07S 数据手册

http://www.ncepower.com

NCE40P07S

NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description

The NCE40P07S uses advanced trench technology and

design to provide excellent R_DS(ON)with low gate charge. It

can be used in a wide variety of applications.

General Features

● V_DS=-40V,I_D=-6.2A

Schematic diagram

R_DS(ON)<25mΩ @ V_GS=-10V

R_DS(ON)<30mΩ @ V_GS=-4.5V

● High density cell design for ultra low Rdson

● Fully characterized avalanche voltage and current

● Excellent package for good heat dissipation

Application

●

Power switching application

Hard switched and high frequency circuits

DC-DC converter

Marking and pin assignment

SOP-8 top view

Tape width

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Device Package

Reel Size

Quantity

4000 units

NCE40P07S

SOP-8

Ø330mm

12mm

Absolute Maximum Ratings (T_A=25℃unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

VDS

Limit

-40

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current-Continuous

±20

VGS

-6.2

-4

I_D

Drain Current-Continuous(T_C=100℃)

Pulsed Drain Current

I_D(100℃)

I_DM

Maximum Power Dissipation

2.5

℃

P_D

Operating Junction and Storage Temperature Range

-55 To 150

T_J,T_STG

Thermal Characteristic

Thermal Resistance ,Junction-to-Ambient^{(Note 2)}

R_θJA

℃/W

Electrical Characteristics (T_A=25℃unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Condition

Min Typ

Max

Unit

Off Characteristics

Drain-Source Breakdown Voltage

BV_DSS

V_GS=0V I_D=-250μA

-40

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page1

V2.0

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