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NCE30D0808J

更新时间： 2024-11-18 15:19:35

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新洁能 - NCEPOWER		/
页数	文件大小	规格书
7页	626K
描述
????新洁能提供的P型20V~60V和N型18V~100V的Dual（双芯）MOSFET产品，通过将两颗P型或者N型的功率MOSFET产品以并联合封的方式集成到单个封装中，极大程度上优化了产品结

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NCE30D0808J 数据手册

http://www.ncepower.com

NCE30D0808J

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description

The NCE30D0808J uses advanced trench technology to

provide excellent R_DS(ON)and low gate charge.This device is

suitable for use as a load switch and PWM applications.

Genera Features

● V_DS= 30V,I_D= 7.7A

Schematic diagram

R_DS(ON)<26.5mΩ @ V_GS=10V

R_DS(ON)<43mΩ @ V_GS=4.5V

● High Power and current handing capability

● Lead free product is acquired

● Surface mount package

Application

● General Purpose Interfacing Switch

DFNWB2X2-6L Bottom View

● Power Management Functions

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Device Package

Reel Size

Tape width

Quantity

30D0808J

NCE30D0808J

DFNWB2X2-6L

Absolute Maximum Ratings (T_C=25℃unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

VDS

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

±20

VGS

Drain Current-Continuous

Drain Current-Pulsed ^{(Note 1)}

7.7

I_D

I_DM

Maximum Power Dissipation

℃

P_D

Operating Junction and Storage Temperature Range

-55 To 150

T_J,T_STG

Thermal Characteristic

Thermal Resistance,Junction-to-Ambient^{Note 2)}

R_θJA

62.5

℃/W

Electrical Characteristics (T_C=25℃unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Condition

Min Typ

Max

Unit

Off Characteristics

Drain-Source Breakdown Voltage

BV_DSS

V_GS=0V I_D=250μA

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page 1

v2.0

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