WUXI NCE POWER CO., Ltd (新洁能) 更新时间:2024-04-09 19:00:37
无锡新洁能股份有限公司(以下简称“公司”)成立于2013年1月,注册资本为21,300万元,拥有新洁能香港、电基集成、金兰功率半导体、国硅集成电路四家子公司以及深圳分公司、宁波分公司。目前公司员工总共360余人,其中研发人员100余人。公司成立以来即专注于MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发、设计及销售,产品优质且系列齐全,广泛应用于消费电子、汽车电子、工业电子、新能源汽车及充电桩、智能装备制造、轨道交通、光伏新能源、5G等领域;未来随着云计算、大数据、智能电网、无人驾驶等领域的蓬勃发展,公司产品将在该等新兴领域发挥重要作用。
型号 | 品牌 | 价格 | 文档 | 应用 | 描述 | |
NCE60N1K0I | NCEPOWER | 获取价格 | 新洁能提供击穿电压等级范围为500V至1050V的N沟道SJ-IV系列功率MOSFET产品 | |||
NCEAP25N10AG | NCEPOWER | 获取价格 | 双极性晶体管 | 新洁能提供质量可靠、品种齐全、性能卓越的车规级功率器件,包含N型MOSFET,P型MOSF | ||
NCEP095N10A | NCEPOWER | 获取价格 | 栅栅极 | 新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超 | ||
NCES120P075T4 | NCEPOWER | 获取价格 | ????新洁能提供的650V和1200V碳化硅功率MOSFET产品,具有电流密度大、击穿电 | |||
NCEP60T20LL | NCEPOWER | 获取价格 | 新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品,以 | |||
NCE4090K | NCEPOWER | 获取价格 | 开关 | 新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFE | ||
NCE3404Y | NCEPOWER | 获取价格 | 开关 | 新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFE | ||
NCE75TD120WW | NCEPOWER | 获取价格 | 开关双极性晶体管 | 新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构 | ||
NCE60N390 | NCEPOWER | 获取价格 | 新洁能提供击穿电压等级范围为500V至1050V的N沟道SJ-IV系列功率MOSFET产品 | |||
NCE40H12A | NCEPOWER | 获取价格 | 开关 | 新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFE | ||
NCE60NP1515K | NCEPOWER | 获取价格 | 新洁能提供的12V~100VComplementary(N、P型互补式)MOSFET产品, | |||
NCEP60T12AD | NCEPOWER | 获取价格 | 新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品,以 | |||
NCE60NP4035K | NCEPOWER | 获取价格 | 新洁能提供的12V~100VComplementary(N、P型互补式)MOSFET产品, | |||
NCEP6020AS | NCEPOWER | 获取价格 | 新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品,以 | |||
NCE65N460D | NCEPOWER | 获取价格 | 新洁能提供击穿电压等级范围为500V至1050V的N沟道SJ-IV系列功率MOSFET产品 | |||
NCE65N260 | NCEPOWER | 获取价格 | 新洁能提供击穿电压等级范围为500V至1050V的N沟道SJ-IV系列功率MOSFET产品 | |||
NCE100TD120BTP | NCEPOWER | 获取价格 | 开关双极性晶体管 | 新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构 | ||
NCEP080N12I | NCEPOWER | 获取价格 | 栅栅极 | 新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超 | ||
NCE65N230D | NCEPOWER | 获取价格 | 新洁能提供击穿电压等级范围为500V至1050V的N沟道SJ-IV系列功率MOSFET产品 | |||
NCEP045N85 | NCEPOWER | 获取价格 | 栅栅极 | 新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超 | ||
NCEP6090AGU | NCEPOWER | 获取价格 | 新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品,以 | |||
NCEAP60T20D | NCEPOWER | 获取价格 | 双极性晶体管 | 新洁能提供质量可靠、品种齐全、性能卓越的车规级功率器件,包含N型MOSFET,P型MOSF | ||
NCEP85T30T | NCEPOWER | 获取价格 | 新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品,以 | |||
NCE4953A | NCEPOWER | 获取价格 | ????新洁能提供的P型20V~60V和N型18V~100V的Dual(双芯)MOSFET | |||
NCE60ND20AK | NCEPOWER | 获取价格 | ????新洁能提供的P型20V~60V和N型18V~100V的Dual(双芯)MOSFET | |||
NCE25TD135LP | NCEPOWER | 获取价格 | 开关双极性晶体管 | 新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构 | ||
NCE15TD65BT | NCEPOWER | 获取价格 | 双极性晶体管 | 新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强(Inje | ||
NCEP080N12 | NCEPOWER | 获取价格 | 栅栅极 | 新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超 | ||
NCEP080N12D | NCEPOWER | 获取价格 | 栅栅极 | 新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超 | ||
NCEP050N85D | NCEPOWER | 获取价格 | 栅栅极 | 新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超 |
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