ESMT品牌介绍,ESMT产品选型手册大全-捷配DataSheet查询网

您的位置：主页> 品牌列表> ESMT

ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. (晶豪) 更新时间：2023-05-01 12:00:58

晶豪科技股份有限公司 ( Elite Semiconductor Memory Technology Inc., ESMT) 为一专业 IC 设计公司，于 1998 年 6 月由赵瑚博士成立 , 总部设立于台湾之新竹科学工业园区。本公司主要业务包含 IC 产品之研究、开发、制造、销售及相关技术服务，并已于 2002 年 3 月在台湾证券交易所挂牌上市。

官网地址 >

型号	品牌	价格	文档	应用	描述

M11L1644A-60T	ESMT	获取价格		动态存储器光电二极管内存集成电路	EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, TSOP2-26/24

M12L2561616A-6BIG2K	ESMT	获取价格		动态存储器内存集成电路	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD

M52D16161A-6BG2J	ESMT	获取价格		动态存储器内存集成电路	Synchronous DRAM, 1MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA60, 6.40 X 10.10 MM, 1 MM HEIGHT, 0.65 MM PITCH,

M13S2561616A-6BIG2S	ESMT	获取价格		动态存储器双倍数据速率	DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, B

M12L128168A-7TVG2N	ESMT	获取价格		动态存储器光电二极管	Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE

M12L32162A-5BG	ESMT	获取价格		动态存储器	Synchronous DRAM, 2MX16, 5ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, LEAD FREE, BGA-54

M12L2561616A-6BIG2A	ESMT	获取价格		动态存储器	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD

M13S64164A-4TVG2Y	ESMT	获取价格		动态存储器双倍数据速率光电二极管	DDR DRAM, 4MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-

F25L01PA-50DG	ESMT	获取价格		光电二极管	Flash, 1MX1, PDIP8, 0.300 INCH, 2.54 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-8

M12L128168A-6BIG2N	ESMT	获取价格		动态存储器	Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD F

M12L128168A-6BVAG2N	ESMT	获取价格		动态存储器	Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD F

M11B16161A-45J	ESMT	获取价格		动态存储器光电二极管	EDO DRAM, 1MX16, 45ns, CMOS, PDSO42, SOJ-42

M11B1644SA-50J	ESMT	获取价格		动态存储器光电二极管	EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, SOJ-26/24

M13S64164A-4BVG2Y	ESMT	获取价格		动态存储器双倍数据速率	DDR DRAM, 4MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE,

M13S128168A-5BVAG2N	ESMT	获取价格		动态存储器	Synchronous DRAM, 8MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LE

M12L128168A-6BIG2L	ESMT	获取价格		动态存储器	Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD F

M12L64164A-6BIG2M	ESMT	获取价格		动态存储器	Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD F

F50L2G41LB	ESMT	获取价格			3.3V 2 Gbit (2 x 1 Gbit) SPI-NAND Flash Memory

F50L4G41XB-104RAG2X	ESMT	获取价格			3.3V 4 Gbit SPI-NAND Flash Memory

M52D5123216A-7BG	ESMT	获取价格		时钟动态存储器内存集成电路	4M x 32 Bit x 4 Banks Mobile Synchronous DRAM

F50L2G41LB-104YG2M	ESMT	获取价格			3.3V 2 Gbit (2 x 1 Gbit) SPI-NAND Flash Memory

F59L2G81LA-25TG	ESMT	获取价格			2 Gbit (256M x 8) 3.3V NAND Flash Memory

F50L1G41LB-104YG2M	ESMT	获取价格			3.3V 1 Gbit SPI-NAND Flash Memory

F50L1G41LB-104YG2ME	ESMT	获取价格			3.3V 1 Gbit SPI-NAND Flash Memory

M53D64164A-5BG2C	ESMT	获取价格		动态存储器双倍数据速率	1M x16 Bit x 4 Banks Mobile DDR SDRAM

F59L2G81XA-25BG2B	ESMT	获取价格			2 Gbit (256M x 8) 3.3V NAND Flash Memory

F59L2G81XA	ESMT	获取价格			2 Gbit (256M x 8) 3.3V NAND Flash Memory

F59L8G81XSB	ESMT	获取价格			8 Gbit (1Gb x 8) 3.3V NAND Flash Memory

M52D5123216A	ESMT	获取价格		动态存储器	4M x 32 Bit x 4 Banks Mobile Synchronous DRAM

M52D5123216A-6BG	ESMT	获取价格		动态存储器	4M x 32 Bit x 4 Banks Mobile Synchronous DRAM