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ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC. (晶豪) 更新时间：2022-05-14 22:21:15

晶豪科技股份有限公司 ( Elite Semiconductor Memory Technology Inc., ESMT) 为一专业 IC 设计公司，于 1998 年 6 月由赵瑚博士成立 , 总部设立于台湾之新竹科学工业园区。本公司主要业务包含 IC 产品之研究、开发、制造、销售及相关技术服务，并已于 2002 年 3 月在台湾证券交易所挂牌上市。

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型号	品牌	价格	文档	应用	描述

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M14D5121632A-2.5BIG2K	ESMT	获取价格		动态存储器双倍数据速率内存集成电路	DDR DRAM, 32MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, BGA-84

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M11B416256A-35TG	ESMT	获取价格		动态存储器光电二极管内存集成电路	EDO DRAM, 256KX16, 18ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-44/40

M13S32321A-6BG2G	ESMT	获取价格		动态存储器双倍数据速率内存集成电路	DDR DRAM, 1MX32, 0.7ns, CMOS, PBGA144, FBGA-144

M53D128324A-7.5BG2E	ESMT	获取价格		动态存储器双倍数据速率内存集成电路	DDR DRAM, 4MX32, 6ns, CMOS, PBGA144, 12 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE,

M53D5123216A-7.5BG	ESMT	获取价格		动态存储器双倍数据速率内存集成电路	DDR DRAM, 16MX32, 6ns, CMOS, PBGA144, FBGA-144

M13S5121632A-6TG2S	ESMT	获取价格		动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路	DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2

M13S5121632A-5TG2S	ESMT	获取价格		动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路	DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2

M13S5121632A-5TG2R	ESMT	获取价格		动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路	DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2

M13S5121632A-6TG2R	ESMT	获取价格		动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路	DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2

M13S5121632A-4TG2R	ESMT	获取价格		动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路	DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2

M12L32321A-7BG2G	ESMT	获取价格		动态存储器内存集成电路	Synchronous DRAM, 1MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FR

M13S64164A-4BVAG2Y	ESMT	获取价格		动态存储器双倍数据速率内存集成电路	DDR DRAM, 4MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE,