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M52D16161A-6BG2J

更新时间： 2024-11-29 04:30:39
品牌 Logo 应用领域
晶豪 - ESMT 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
32页 934K
描述
Synchronous DRAM, 1MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA60, 6.40 X 10.10 MM, 1 MM HEIGHT, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, VFBGA-60

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M52D16161A-6BG2J 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：VFBGA,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.7
访问模式：DUAL BANK PAGE BURST最长访问时间：5.5 ns
其他特性：AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码：R-PBGA-B60
长度：10.1 mm内存密度：16777216 bit
内存集成电路类型：SYNCHRONOUS DRAM内存宽度：16
功能数量：1端口数量：1
端子数量：60字数：1048576 words
字数代码：1000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：1MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：VFBGA封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH座面最大高度：1 mm
自我刷新：YES最大供电电压 (Vsup)：1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：1.7 V标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：BALL
端子节距：0.65 mm端子位置：BOTTOM
宽度：6.4 mmBase Number Matches：1

M52D16161A-6BG2J 数据手册

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ESMT  
M52D16161A (2J)  
Mobile SDRAM  
512K x 16Bit x 2Banks  
Mobile Synchronous DRAM  
FEATURES  
GENERAL DESCRIPTION  
The M52D16161A is 16,777,216 bits synchronous high data rate  
Dynamic RAM organized as 2 x 524,288 words by 16 bits,  
fabricated with high performance CMOS technology. Synchronous  
design allows precise cycle control with the use of system clock I/O  
transactions are possible on every clock cycle. Range of operating  
frequencies, programmable burst length and programmable  
latencies allow the same device to be useful for a variety of high  
bandwidth, high performance memory system applications.  
z
z
z
z
1.8V power supply  
LVCMOS compatible with multiplexed address  
Dual banks operation  
MRS cycle with address key programs  
-
-
-
CAS Latency (2 & 3 )  
Burst Length (1, 2, 4, 8 & full page)  
Burst Type (Sequential & Interleave)  
z
z
EMRS cycle with address key programs.  
All inputs are sampled at the positive going edge of the  
system clock  
Burst Read Single-bit Write operation  
Special Function Support.  
ORDERING INFORMATION  
z
z
Product ID  
Max Freq.  
Package  
Comments  
Pb-free  
Pb-free  
Pb-free  
Pb-free  
Pb-free  
Pb-free  
-
-
-
PASR (Partial Array Self Refresh )  
TCSR (Temperature compensated Self Refresh)  
DS (Driver Strength)  
M52D16161A-6TG2J  
166MHz 50 Pin TSOP(II)  
M52D16161A-7.5TG2J 133MHz 50 Pin TSOP(II)  
M52D16161A-10TG2J 100MHz 50 Pin TSOP(II)  
z
z
z
DQM for masking  
Auto & self refresh  
32ms refresh period (2K cycle)  
M52D16161A-6BG2J  
166MHz 60 Ball VFBGA  
M52D16161A-7.5BG2J 133MHz 60 Ball VFBGA  
M52D16161A-10BG2J 100MHz 60 Ball VFBGA  
PIN CONFIGURATION (TOP VIEW)  
BALL CONFIGURATION (TOP VIEW)  
(TSOPII 50L, 400milX825mil Body, 0.8mm Pin Pitch)  
(BGA60, 6.4mmX10.1mmX1mm Body, 0.65mm Ball Pitch)  
1
2
3
4
5
6
7
DQ0  
DQ15  
VDD  
A
B
VSS  
VDD  
1
VSS  
50  
49  
48  
47  
46  
45  
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
DQ0  
DQ1  
VSSQ  
DQ2  
DQ3  
VDDQ  
DQ4  
DQ5  
VSSQ  
DQ6  
DQ7  
VDDQ  
LDQM  
WE  
2
DQ15  
DQ14  
VSSQ  
DQ13  
DQ12  
VDDQ  
DQ11  
DQ10  
VSSQ  
DQ9  
DQ8  
VDDQ  
N.C/RFU  
UDQM  
CLK  
CKE  
N.C  
VDDQ  
VSSQ  
DQ1  
DQ2  
DQ14  
DQ13  
VSSQ  
VDDQ  
3
4
C
D
E
F
5
DQ4  
DQ3  
DQ5  
DQ12  
DQ10  
DQ9  
DQ11  
6
7
VDDQ  
VSSQ  
8
9
VSSQ  
NC  
VDDQ  
NC  
DQ6  
DQ7  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
G
H
J
DQ8  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
WE  
UDQM  
LDQM  
CAS  
RAS  
CS  
NC  
CLK  
NC  
RAS  
NC  
CAS  
CS  
K
L
CKE  
BA  
A9  
A10/AP  
A0  
A8  
A9  
A7  
NC  
A0  
NC  
BA  
A8  
M
N
P
R
A7  
A1  
A6  
A10  
A2  
A5  
A3  
A4  
A1  
A6  
A5  
A4  
A2  
A3  
VDD  
VSS  
VSS  
VDD  
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
Publication Date : Jun. 2010  
Revision : 1.5 1/32  
1234567...32

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