5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.84 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 57 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| JESD-30 代码： | S-MSFM-P3 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 2000 ns | 标称接通时间 (ton)： | 140 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PPHR70L60A | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-254, 3 PIN |
|
| PPHR70L60AE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-254, 3 PIN |
|
| PPHX60F60A | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-254, 3 PIN |
|
| PPHX60F60AE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-254, 3 PIN |
|
| PPHZ52F120A | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 52A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-254, 3 PIN |
|
| PPHZ52F120AE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 52A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-254, 3 PIN |
|
| PPI0000142 | AMPHENOL |
获取价格 |
Combination Line Connector |
|
| PPI0000224 | AMPHENOL |
获取价格 |
Combination Line Connector |
|
| PPI0000225 | AMPHENOL |
获取价格 |
Combination Line Connector |
|
| PPI0000249 | AMPHENOL |
获取价格 |
Combination Line Connector, 36 Contact(s), Female, |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
