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PPF150E

更新时间： 2024-11-21 19:45:43
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 161K
描述
Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 100V, 0.053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SMD-5

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PPF150E 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete包装说明：CHIP CARRIER, R-PQCC-N3
针数：5Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.92
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (ID)：36 A最大漏源导通电阻：0.053 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PQCC-N3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：NO LEAD端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

PPF150E 数据手册

 浏览型号PPF150E的Datasheet PDF文件第2页 
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与PPF150E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PPF150EE3 MICROSEMI

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 		Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 100V, 0.053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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