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PN930_D81Z

更新时间： 2024-10-14 15:48:15
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
4页 28K
描述
Transistor,

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PN930_D81Z 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.92最大集电极电流 (IC)：0.03 A
配置：SingleJESD-609代码：e0
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.6 W子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)：30 MHzBase Number Matches：1

PN930_D81Z 数据手册

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PN930  
NPN General Purpose Amplifier  
•
This device is designed for low noise, high gain, general purpose  
applications at collector currents from 1µA to 50mA.  
TO-92  
1. Emitter 2. Base 3. Collector  
1
Absolute Maximum Ratings* T =25°C unless otherwise noted  
A
Symbol  
Parameter  
Value  
45  
Units  
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
V
CEO  
45  
CBO  
EBO  
5.0  
V
I
- Continuous  
100  
mA  
°C  
C
T
T
Operating and Storage Junction Temperature Range  
- 55 ~ 150  
J, STG  
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaird.  
NOTES:  
1. These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2. These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
A
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
Off Characteristics  
V
V
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage *  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
I
= 10mA, I = 0  
45  
45  
V
V
(BR)CEO  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
CEO  
C
B
I
I
= 10µA, I = 0  
E
C
E
= 10nA, I = 0  
5.0  
V
C
I
I
I
V
V
= 5.0V  
2.0  
10  
nA  
nA  
CE  
CB  
Collector Cutoff Current  
= 45V, I = 0  
E
CBO  
Collector Cutoff Current  
V
V
= 45V, I = 0  
10  
10  
nA  
µA  
CES  
CB  
CB  
E
= 45V, I = 0, T = 170°C  
E
A
I
Emitter Cutoff Current  
V
= 5.0V, I = 0  
10  
nA  
EBO  
EB  
C
On Characteristics  
h
DC Current Gain  
V
V
V
V
= 5.0V, I = 10µA  
10  
20  
150  
300  
FE  
CE  
CE  
CE  
CE  
C
= 5.0V, I = 10µA, T = -55°C  
C
A
= 5.0V, I = 500µA  
C
= 5.0V, I = 10mA  
600  
1.0  
1.0  
C
V
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
I
= 10mA, I = 0.5mA  
V
V
CE  
C
B
(sat)  
I
= 10mA, I = 0.5mA  
0.6  
BE  
C
B
Small Signal Characteristics  
C
Output Capacitance  
V
= 5.0V, f = 1.0MHz  
8.0  
pF  
ob  
fe  
CB  
h
Small Signal Current Gain  
I
I
= 500µA, V = 5.0V, f = 20MHz  
1.5  
150  
C
C
CE  
= 1.0mA, V = 5.0V, f = 1.0KHz  
600  
32  
CE  
h
h
h
Input Impedance  
Voltage Feedback Ratio  
Output Admittance  
Noise Figure  
I
= 1.0mA, V = 5.0V, f = 1.0KHz  
25  
Ω
ib  
C
CE  
-6  
600  
1.0  
3.0  
x10  
µmho  
dB  
rb  
ob  
NF  
V
= 5.0V, I = 10µA  
CE C  
R
= 10KΩ, B = 15.7KHz  
W
G
* Pulse Test: Pulse Width ≤ 300ms, Duty Cycle ≤ 2.0%  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B, November 2002  
1234

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与PN930_D81Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PN9302 APITECH

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 		Narrow Band Low Power Amplifier, 1700MHz Min, 2300MHz Max, SM11
PN930D26Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
PN930D27Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
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PN9321 APITECH

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 		Wide Band Low Power Amplifier, 5MHz Min, 1000MHz Max, SM-11, 4 PIN

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