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PN930D75Z

更新时间： 2024-10-15 05:13:51
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 28K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92

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PN930D75Z 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.84其他特性：LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：45 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：150
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.6 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：30 MHz

PN930D75Z 数据手册

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PN930  
NPN General Purpose Amplifier  
•
This device is designed for low noise, high gain, general purpose  
applications at collector currents from 1µA to 50mA.  
TO-92  
1. Emitter 2. Base 3. Collector  
1
Absolute Maximum Ratings* T =25°C unless otherwise noted  
A
Symbol  
Parameter  
Value  
45  
Units  
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
V
CEO  
45  
CBO  
EBO  
5.0  
V
I
- Continuous  
100  
mA  
°C  
C
T
T
Operating and Storage Junction Temperature Range  
- 55 ~ 150  
J, STG  
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaird.  
NOTES:  
1. These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2. These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
A
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
Off Characteristics  
V
V
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage *  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
I
= 10mA, I = 0  
45  
45  
V
V
(BR)CEO  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
CEO  
C
B
I
I
= 10µA, I = 0  
E
C
E
= 10nA, I = 0  
5.0  
V
C
I
I
I
V
V
= 5.0V  
2.0  
10  
nA  
nA  
CE  
CB  
Collector Cutoff Current  
= 45V, I = 0  
E
CBO  
Collector Cutoff Current  
V
V
= 45V, I = 0  
10  
10  
nA  
µA  
CES  
CB  
CB  
E
= 45V, I = 0, T = 170°C  
E
A
I
Emitter Cutoff Current  
V
= 5.0V, I = 0  
10  
nA  
EBO  
EB  
C
On Characteristics  
h
DC Current Gain  
V
V
V
V
= 5.0V, I = 10µA  
10  
20  
150  
300  
FE  
CE  
CE  
CE  
CE  
C
= 5.0V, I = 10µA, T = -55°C  
C
A
= 5.0V, I = 500µA  
C
= 5.0V, I = 10mA  
600  
1.0  
1.0  
C
V
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
I
= 10mA, I = 0.5mA  
V
V
CE  
C
B
(sat)  
I
= 10mA, I = 0.5mA  
0.6  
BE  
C
B
Small Signal Characteristics  
C
Output Capacitance  
V
= 5.0V, f = 1.0MHz  
8.0  
pF  
ob  
fe  
CB  
h
Small Signal Current Gain  
I
I
= 500µA, V = 5.0V, f = 20MHz  
1.5  
150  
C
C
CE  
= 1.0mA, V = 5.0V, f = 1.0KHz  
600  
32  
CE  
h
h
h
Input Impedance  
Voltage Feedback Ratio  
Output Admittance  
Noise Figure  
I
= 1.0mA, V = 5.0V, f = 1.0KHz  
25  
Ω
ib  
C
CE  
-6  
600  
1.0  
3.0  
x10  
µmho  
dB  
rb  
ob  
NF  
V
= 5.0V, I = 10µA  
CE C  
R
= 10KΩ, B = 15.7KHz  
W
G
* Pulse Test: Pulse Width ≤ 300ms, Duty Cycle ≤ 2.0%  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B, November 2002  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PN930J05Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
PN930J18Z TI

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 		30mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
PN9311 APITECH

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