PN4416

更新时间： 2024-02-16 11:09:30

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管放大器
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9页	99K
描述
N-channel field-effect transistor

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PN4416 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.69	其他特性：	LOW NOISE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	35 V
FET 技术：	JUNCTION	最大反馈电容 (Crss)：	0.8 pF
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PN4416 数据手册

Philips Semiconductors

Product speciﬁcation

N-channel ﬁeld-effect transistor

PN4416; PN4416A

MRC167

MRC163

handbook, halfpage

(

(mA)

= 0 V

–0.5 V

–1V

(V)

–V

(V)

GS(off)

V_DS= 15 V; T_j= 25 °C.

T_j= 25 °C.

Fig.4 Common source output conductance as a

function of gate-source cut-off voltage;

typical values.

Fig.5 Typical output characteristics.

MRC164

MRC158

(pF)

handbook, halfpage

(mA)

0.8

0.6

0.4

0.2

–10

–8

–6

–4

–2

–5

–4

–3

–2

–1

(V)

V_DS= 15 V; T_j= 25 °C.

Fig.6 Typical input characteristics.

Fig.7 Typical feedback capacitance.

December 1997

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