PN4416

更新时间： 2024-02-20 22:22:55

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管放大器
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9页	99K
描述
N-channel field-effect transistor

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PN4416 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.69	其他特性：	LOW NOISE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	35 V
FET 技术：	JUNCTION	最大反馈电容 (Crss)：	0.8 pF
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PN4416 数据手册

Philips Semiconductors

Product speciﬁcation

N-channel ﬁeld-effect transistor

PN4416; PN4416A

MRC157

MRC165

3.5

handbook, halfpage

–I

(pA)

(pF)

2.5

= 1 mA

0.1 mA

1.5

GSS

–1

0.5

–2

(V)

–10

–8

–6

–4

–2

(V)

V_DS= 15 V; T_j= 25 °C.

Fig.8 Typical input capacitance.

Fig.9 Gate current as a function of drain-gate

voltage, typical values.

MRC139

MRC160

500

handbook, halfpage

100

handbook, halfpage

tot

(mW)

, b

is is

(mS)

400

300

200

100

0.1

0.01

100

150

100

1000

( C)

amb

f (MHz)

V_DS= 15 V; V_GS= 0; T_amb= 25 °C.

Fig.11 Common source input conductance; typical

values.

Fig.10 Power derating curve.

December 1997

1...3 4 567 8 9

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