PN4416

更新时间： 2024-01-22 01:45:01

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管放大器
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9页	99K
描述
N-channel field-effect transistor

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PN4416 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.69	其他特性：	LOW NOISE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	35 V
FET 技术：	JUNCTION	最大反馈电容 (Crss)：	0.8 pF
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PN4416 数据手册

Philips Semiconductors

Product speciﬁcation

N-channel ﬁeld-effect transistor

PN4416; PN4416A

DYNAMIC CHARACTERISTICS

T_j= 25 °C; V_DS= 15 V; V_GS= 0.

SYMBOL

PARAMETER

input capacitance

CONDITIONS

f = 1 MHz

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

C_is

C_os

C_rs

g_is

−

output capacitance

f = 1 MHz

feedback capacitance

f = 1 MHz

0.8

100

common source input conductance

f = 100 MHz

f = 400 MHz

f = 100 MHz

f = 400 MHz

µS

g_fs

g_rs

g_os

V_n

common source transfer conductance

5.2

−

common source feedback conductance f = 100 MHz

f = 400 MHz

−8

−100

−

µS

common source output conductance

f = 100 MHz

f = 400 MHz

f = 100 Hz

100

−

µS

−

µS

equivalent input noise voltage

nV/√Hz

MRC168

MRC169

handbook, halfpage

DSS

(mA)

(mS)

–V

(V)

GS(off)

–V

(V)

GS(off)

V_DS= 15 V; T_j= 25 °C.

Fig.2 Drain current as a function of

gate-source cut-off voltage; typical values.

Fig.3 Common source transfer admittance as a

function of gate-source cut-off voltage;

typical values.

December 1997

1 2 345 6 7...9

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