Datasheet > PN4356J05Z

PN4356J05Z

更新时间： 2024-02-01 23:55:01

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	529K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

PN4356J05Z 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.22	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.6 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
最大关闭时间（toff）：	400 ns	最大开启时间（吨）：	100 ns
Base Number Matches：	1

PN4356J05Z 数据手册

PN4356

TO-92

PNP General Purpose Amplifier

This device is designed for use as general purpose amplifiers

and switches requiring collector currents to 500 mA. Sourced

from Process 67. See TN4033A for characteristics.

Absolute Maximum Ratings*

TA = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Value

Units

V_CES

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

5.0

Collector Current - Continuous

Operating and Storage Junction Temperature Range

800

-55 to +150

T_J, T_stg

*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

NOTES:

1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.

2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.

3) All voltages (V) and currents (A) are negative polarity for PNP transistors.

Thermal Characteristics

TA = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Characteristic

Max

Units

PN4356

P_D

Total Device Dissipation

Derate above 25 C

625

5.0

mW/ C

Thermal Resistance, Junction to Case

83.3

R_θ

C/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient

200

R_θ

C/W

1997 Fairchild Semiconductor Corporation

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与PN4356J05Z相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PN4356J18Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, 3
PN4356-J25Z	FAIRCHILD	获取价格	Transistor
PN4356-J61Z	TI	获取价格	800mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
PN4356TRA	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
PN4356TRB	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
PN4356TRC	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
PN4356TRE	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
PN4356TRF	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
PN4356TRG	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
PN4360	CENTRAL	获取价格	Junction FETs Low Frequency/ Low Noise

与PN4356J05Z相关文章

BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
2024-07-04

16
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
2024-07-04

16
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2024-07-04

13
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
2024-07-04

16

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

PN4356J05Z

PN4356J05Z 技术参数

PN4356J05Z 数据手册

与PN4356J05Z相关器件

与PN4356J05Z相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

PN4356J05Z

PN4356J05Z 技术参数

PN4356J05Z 数据手册

与PN4356J05Z相关器件

与PN4356J05Z相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？