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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.28 | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz | 最大关闭时间（toff）： | 400 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PN4356APP | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, |
|
| PN4356APPLEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, |
|
| PN4356D26Z | FAIRCHILD |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 |
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| PN4356-D28Z | FAIRCHILD |
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Transistor |
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| PN4356D74Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 |
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| PN4356D75Z | FAIRCHILD |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 |
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| PN4356J05Z | FAIRCHILD |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, 3 |
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| PN4356J18Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, 3 |
|
| PN4356-J25Z | FAIRCHILD |
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Transistor |
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| PN4356-J61Z | TI |
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800mA, 80V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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