PN4355

更新时间： 2024-09-25 22:44:23

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体放大器小信号双极晶体管开关
页数	文件大小	规格书
2页	45K
描述
PNP General Purpose Amplifier

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

PN4355 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.18	最大集电极电流 (IC)：	0.8 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	75	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.6 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	最大关闭时间（toff）：	400 ns
最大开启时间（吨）：	100 ns	Base Number Matches：	1

PN4355 数据手册

Discr ete P OWER & Sign a l

Tech n ologies

PN4355

MMBT4355

TO-92

SOT-23

Mark: 81

PNP General Purpose Amplifier

This device is designed for use as a general purpose amplifier

and switch requiring collector currents to 500 mA. Sourced

from Process 67. See TN4033A for characteristics.

Absolute Maximum Ratings*

TA = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Value

Units

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current - Continuous

800

°C

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to +150

T_J, T_stg

*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

NOTES:

1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.

2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.

Thermal Characteristics

TA = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Characteristic

Max

Units

PN4355

*MMBT4355

P_D

R_θ

Total Device Dissipation

Derate above 25°C

Thermal Resistance, Junction to Case

625

5.0

83.3

350

2.8

mW/°C

C/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient

200

357

C/W

R_θ

*Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."

1997 Fairchild Semiconductor Corporation

中文翻译

下载PDF

PN4355 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
PN4355LEADFREE	CENTRAL	功能相似	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,

与PN4355相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
PN4355/D11Z	TI	获取价格	500mA, 60V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
PN4355/D27Z	TI	获取价格	500mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
PN4355/D75Z	TI	获取价格	500mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
PN4355/J05Z	TI	获取价格	500mA, 60V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
PN4355/J18Z	TI	获取价格	500mA, 60V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
PN4355_01	FAIRCHILD	获取价格	PNP General Purpose Amplifier
PN4355-18F	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO-92-18F,
PN4355-18R	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO-92-18R,
PN4355-5F	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO-92-5F, 3
PN4355APMLEADFREE	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,

与PN4355相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

9
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

8
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

12
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

17

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

PN4355

PN4355 技术参数

PN4355 数据手册

PN4355 替代型号

与PN4355相关器件

与PN4355相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

PN4355

PN4355 技术参数

PN4355 数据手册

PN4355 替代型号

与PN4355相关器件

与PN4355相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？