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PN3642

更新时间: 2024-11-12 22:44:23
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MICRO-ELECTRONICS 晶体小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 148K
描述
NPN SILICON TRANSISTORS

PN3642 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.16
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):0.5 A
集电极-发射极最大电压:45 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):40JEDEC-95代码:TO-92
JESD-30 代码:O-PBCY-W3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.6 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):250 MHzBase Number Matches:1

PN3642 数据手册

  

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