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PN3566

更新时间： 2024-11-26 22:26:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器小信号双极晶体管开关
页数 文件大小 规格书
3页 27K
描述
NPN General Purpose Amplifier

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PN3566 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：TO-92, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.16Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.6 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：150
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.6 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：40 MHz
Base Number Matches：1

PN3566 数据手册

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PN3566  
NPN General Purpose Amplifier  
•
This device is for use as a medium amplifier and switch requiring  
collector currents up 300mA.  
•
Sourced from process 19.  
TO-92  
1. Emitter 2. Base 3. Collector  
1
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
30  
V
V
CEO  
40  
5
CBO  
EBO  
V
I
- Continuous  
600  
mA  
°C  
C
T
T
Operating and Storage Junction Temperature Range  
- 55 ~ 150  
J, STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Off Characteristics  
V
V
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage *  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I
I
I
= 30mA, I = 0  
30  
40  
5
V
V
V
(BR)CEO  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
CBO  
C
C
E
B
= 100µA, I = 0  
E
= 10µA, I = 0  
C
I
I
V
V
= 20V, I = 0  
50  
10  
nA  
CB  
EB  
E
Emitter Cut-off Current  
= 5V, I = 0  
µA  
EBO  
C
On Characteristics  
h
DC Current Gain  
V
V
= 10V, I = 2.0mA  
80  
150  
FE  
CE  
CE  
C
= 10V, I = 10mA  
600  
1.0  
0.9  
C
V
V
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage *  
Base-Emitter On Voltage  
I
= 100mA, I = 10mA  
V
V
CE  
C
B
V
= 1V, I = 100mA  
C
BE  
CE  
CB  
Small Signal Characteristics  
Output Capacitance  
C
V
= 10V, I = 0  
25  
pF  
obo  
* Pulse Test: Pulse Width ≤ 300ms, Duty Cycle ≤ 2.0%  
E
Thermal Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Max.  
Units  
mW  
mW/°C  
P
Total Device Dissipation  
Derate above 25°C  
625  
5
D
R
R
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
83.3  
200  
°C/W  
θJA  
θJC  
°C/W  
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, October 2004  
123

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