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PN3567

更新时间： 2024-11-27 10:07:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 28K
描述
NPN General Purpose Amplifier

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PN3567 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：TO-92, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：7.13
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.6 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.6 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：60 MHzBase Number Matches：1

PN3567 数据手册

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PN3567  
NPN General Purpose Amplifier  
•
This device is for use as a medium amplifier and switch requiring  
collector currents up 300mA.  
•
Sourced from process 19.  
TO-92  
1. Emitter 2. Base 3. Collector  
1
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
A
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
40  
V
V
CEO  
80  
5
CBO  
EBO  
V
I
- Continuous  
600  
mA  
°C  
C
T
T
Operating and Storage Junction Temperature Range  
- 55 ~ 150  
J, STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
A
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Off Characteristics  
V
V
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage *  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I
I
I
= 30mA, I = 0  
40  
80  
5
V
V
V
(BR)CEO  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
CBO  
C
C
E
B
= 100µA, I = 0  
E
= 10µA, I = 0  
C
I
V
V
= 40V, I = 0  
50  
5
nA  
µA  
CB  
CB  
E
= 40V, I = 0, T = 75°C  
E
A
I
Emitter Cut-off Current  
V
= 4V, I = 0  
25  
nA  
EBO  
EB  
C
On Characteristics  
h
DC Current Gain  
V
V
= 1V, I = 150mA  
40  
40  
120  
FE  
CE  
CE  
C
= 1V, I = 30mA  
C
V
V
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage *  
Base-Emitter On Voltage  
I
= 150mA, I = 15mA  
0.25  
1.1  
V
V
CE  
C
B
V
= 1V, I = 150mA  
C
BE  
CE  
Small Signal Characteristics  
C
Output Capacitance  
V
V
= 10V, I = 0  
20  
80  
pF  
obo  
CB  
EB  
E
C
Input Capacitance  
= 0.5V, I = 0  
ibo  
C
* Pulse Test: Pulse Width ≤ 300ms, Duty Cycle ≤ 2.0%  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, November 2002  
1234

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PN3567 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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 		Transistor,
PN3567APM CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
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 		Small Signal Bipolar Transistor, 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
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