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PN100

更新时间： 2024-09-16 22:26:27
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器
页数 文件大小 规格书
3页 47K
描述
NPN General Purpose Amplifier

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PN100 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.49
最大集电极电流 (IC)：0.5 A基于收集器的最大容量：4.5 pF
集电极-发射极最大电压：45 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.625 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHzVCEsat-Max：0.2 V
Base Number Matches：1

PN100 数据手册

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Discr ete P OWER & Sign a l  
Tech n ologies  
PN100  
MMBT100  
PN100A  
MMBT100A  
C
E
TO-92  
C
B
B
SOT-23  
Mark: NA / NA1  
E
NPN General Purpose Amplifier  
This device is designed for general purpose amplifier applications  
at collector currents to 300 mA. Sourced from Process 10.  
Absolute Maximum Ratings*  
TA=25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Collector-Emitter Voltage  
45  
75  
V
V
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
6.0  
V
Collector Current - Continuous  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
500  
mA  
°C  
-55 to +150  
TJ, Tstg  
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Thermal Characteristics  
TA= 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Characteristic  
Max  
Units  
PN100A  
*MMBT100A  
PD  
Total Device Dissipation  
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction to Case  
625  
5.0  
83.3  
350  
2.8  
mW  
mW/°C  
°C/W  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
200  
357  
°C/W  
*Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."  
1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
123

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