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PMP4201Y

更新时间： 2024-11-29 11:13:39

品牌	Logo	应用领域
安世 - NEXPERIA		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	238K
描述
45 V, 100 mA NPN/NPN matched double transistorProduction

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PMP4201Y 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.71	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	45 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	200
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	6	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
Base Number Matches：	1

PMP4201Y 数据手册

PMP4201Y

45 V, 100 mA NPN/NPN matched double transistor

28 December 2022

Product data sheet

1. General description

NPN/NPN matched double transistor in a very small Surface-Mounted Device (SMD) SOT363

(SC-88) plastic package.

NPN/NPN hFE1/hFE2 0.95 complement: PMP4501Y

PNP/PNP complement: PMP5201Y

2. Features and benefits

•

Current gain matching

•

Base-emitter voltage matching

Application-optimized pinout

AEC-Q101 qualified

3. Applications

•

Current mirror

Differential amplifier

4. Quick reference data

Table 1. Quick reference data

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Per transistor

V_CEO

collector-emitter

voltage

open base

I_C

collector current

DC current gain

100

450

h_FE

V_CE= 5 V; I_C= 2 mA; T_amb= 25 °C

200

290

Per device

h_FE1/h_FE2

DC current gain

matching

[1]

[2]

0.98

V_BE1−V_BE2

base-emitter voltage

matching

[1] The smaller of the two values is taken as the numerator.

[2] The smaller of the two values is subtracted from the larger value.

12 3 4 5 6 7...10

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