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PMEM4020APD-135

更新时间： 2024-10-27 15:48:11

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	76K
描述
TRANSISTOR 1300 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SMD, SC-74, SOT-457, 6 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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PMEM4020APD-135 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	针数：	6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	最大集电极电流 (IC)：	1.3 A
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	6	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

PMEM4020APD-135 数据手册

PMEM4020APD

PNP transistor/Schottky rectiﬁer module

Rev. 01 — 4 October 2004

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

Combination of a PNP transistor with low V_CEsatand high current capability and a planar

Schottky barrier rectiﬁer with an integrated guard ring for stress protection in a SOT457

(SC-74) small plastic package. NPN complement: PMEM4020AND.

1.2 Features

■ 600 mW total power dissipation

■ High current capability up to 2 A

■ Reduces printed-circuit board area required

■ Reduces pick and place costs

■ Small plastic SMD package

■ Transistor

◆ Low collector-emitter saturation voltage.

■ Diode

◆ Ultra high-speed switching

◆ Very low forward voltage

◆ Guard ring protected.

1.3 Applications

■ DC-to-DC converters

■ Inductive load drivers

■ General purpose load drivers

■ Reverse polarity protection circuits

■ MOSFET drivers.

1.4 Quick reference data

Table 1:

Symbol

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

PNP transistor

V_CEOcollector-emitter voltage

I_Ccollector current (DC)

open base

−40

−2

[1]

continuous;

T_s≤ 55 °C

12 3 4 5 6 7...13

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PMEM4020ND	NXP	获取价格	NPN transistor/Schottky-diode module
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