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PMEM4030NS,115

更新时间： 2024-10-27 21:10:55

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恩智浦 - NXP		/
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PMEM4030NS

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PMEM4030NS,115 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.59	Base Number Matches：	1

PMEM4030NS,115 数据手册

PMEM4030NS

NPN transistor/Schottky rectiﬁer module

Rev. 02 — 8 July 2005

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

Combination of a NPN transistor with low V_CEsatand high current capability and a planar

Schottky barrier rectiﬁer with an integrated guard ring for stress protection in a SOT96-1

(SO8/MS-012) small plastic package. PNP complement: PMEM4030PS.

1.2 Features

■ 1 W total power dissipation

■ High current capability up to 2 A

■ Reduces Printed-Circuit Board (PCB) area required

■ Reduces pick and place costs

■ Small plastic Surface Mounted Device (SMD) package

■ Transistor

◆ Low collector-emitter saturation voltage

■ Diode

◆ High-speed switching

◆ Low forward voltage

◆ Guard ring protected

1.3 Applications

■ DC-to-DC converters

■ Inductive load drivers

■ General-purpose load drivers

1.4 Quick reference data

Table 1:

Symbol

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

NPN transistor

V_CEOcollector-emitter voltage

I_Ccollector current (DC)

Schottky barrier rectiﬁer

open base

continuous

V_R

I_F

reverse voltage

forward current

12 3 4 5 6 7...14

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