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PMEG4002EL

更新时间: 2024-11-22 11:15:55
品牌 Logo 应用领域
安世 - NEXPERIA 二极管
页数 文件大小 规格书
8页 201K
描述
40 V, 0.2 A low Vf MEGA Schottky barrier rectifierProduction

PMEG4002EL 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.64
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:R-PBCC-N2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最大输出电流:0.2 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER峰值回流温度(摄氏度):260
最大重复峰值反向电压:40 V表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子面层:Tin (Sn)
端子形式:NO LEAD端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:30Base Number Matches:1

PMEG4002EL 数据手册

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PMEG4002EL  
40 V, 0.2 A low Vf MEGA Schottky barrier rectifier  
1 October 2022  
Product data sheet  
1. General description  
Planar Maximum Efficiency General Application (MEGA) Schottky barrier rectifier with an integrated  
guard ring for stress protection, encapsulated in a SOD882 leadless ultra small Surface-Mounted  
Device (SMD) plastic package.  
2. Features and benefits  
Forward current: IF ≤ 0.2 A  
Reverse voltage: VR ≤ 40 V  
Low forward voltage  
Leadless ultra small SMD plastic package  
Power dissipation comparable to SOT23  
3. Applications  
Ultra high-speed switching  
Voltage clamping  
Protection circuits  
Low voltage rectification  
Blocking diodes  
Low power consumption applications  
4. Quick reference data  
Table 1. Quick reference data  
Symbol  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
0.2  
40  
Unit  
A
IF  
forward current  
reverse voltage  
-
-
-
-
VR  
V
5. Pinning information  
Table 2. Pinning information  
Pin  
1
Symbol  
Description  
cathode[1]  
anode  
Simplified outline  
Graphic symbol  
K
A
1
2
2
K
A
sym001  
Transparent  
top view  
DFN1006-2 (SOD882)  
[1] The marking bar indicates the cathode.  
 
 
 
 
 
 

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