是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | DSN0603-2, 2 PIN | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.48 |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码: | R-PBCC-N2 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | CHIP CARRIER |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 最大功率耗散: | 0.405 W |
参考标准: | IEC-60134 | 最大重复峰值反向电压: | 20 V |
最大反向恢复时间: | 0.0019 µs | 表面贴装: | YES |
技术: | SCHOTTKY | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
PMEG2005ET | NXP |
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Low VCEsat (BISS) transistors | |
PMEG2005ET | NEXPERIA |
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20 V, 0.5 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifierProduction | |
PMEG2005ET,215 | NXP |
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PMEGxx05ET series - 0.5 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifiers in SOT23 package TO | |
PMEG2005ET_10 | NXP |
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0.5 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifiers in SOT23 package | |
PMEG2005ET-Q | NEXPERIA |
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20 V, 0.5 A very low VF MEGA Schottky barrier rectifierProduction | |
PMEG200G10ELR | NEXPERIA |
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200 V, 1 A Silicon Germanium (SiGe) rectifierProduction | |
PMEG200G10ELR-Q | NEXPERIA |
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200 V, 1 A Silicon Germanium (SiGe) rectifierProduction | |
PMEG200G20ELP | NEXPERIA |
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200 V, 2 A Silicon Germanium (SiGe) rectifierProduction | |
PMEG200G20ELP-Q | NEXPERIA |
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200 V, 2 A Silicon Germanium (SiGe) rectifierProduction | |
PMEG200G20ELR | NEXPERIA |
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200 V, 2 A Silicon Germanium (SiGe) rectifierProduction |