Datasheet > 二极管 > 整流二极管> PMEG2005EPK

PMEG2005EPK

更新时间： 2024-01-02 12:40:39

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恩智浦 - NXP		/
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13页	1058K
描述
20 V, 0.5 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier

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PMEG2005EPK 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.31
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.13 V	JEDEC-95代码：	TO-236AB
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值正向电流：	10 A
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	0.5 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大功率耗散：	0.28 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	20 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

PMEG2005EPK 数据手册

PMEG2005EPK

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20 V, 0.5 A low VF MEGA Schottky barrier rectifier

Rev. 1 — 12 January 2012

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Planar Maximum Efficiency General Application (MEGA) Schottky barrier rectifier with an

integrated guard ring for stress protection, encapsulated in a leadless ultra small

SOD1608 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with visible and solderable

side pads.

1.2 Features and benefits

 Average forward current: I_F(AV)≤ 0.5 A

 Reverse voltage: V_R≤ 20 V

 Low forward voltage V_F≤ 410 mV

 Low reverse current

 AEC-Q101 qualified

 Solderable side pads

 Package height typ. 0.37 mm

 Ultra small and leadless SMD plastic

package

1.3 Applications

 Low voltage rectification

 Low power consumption applications

 Ultra high-speed switching

 High efficiency DC-to-DC conversion

 Switch mode power supply

 Reverse polarity protection

 LED backlight for mobile application

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

I_F(AV)

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

[1]

average forward

current

square wave; δ = 0.5; f = 20 kHz;

0.5

_amb≤ 130 °C

square wave; δ = 0.5; f = 20 kHz;

T_sp≤ 140 °C

0.5

V_R

V_F

reverse voltage

forward voltage

T_j= 25 °C

I_F= 500 mA; pulsed; t_p≤ 300 µs;

δ ≤ 0.02; T_j= 25 °C

360

410

I_R

reverse current

V_R= 10 V; T_j= 25 °C

130

µA

[1] Device mounted on a ceramic Printed-Circuit Board (PCB), Al₂O₃, standard footprint.

12 3 4 5 6 7...13

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