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PIC18F8525-I/PT

更新时间: 2024-11-29 23:02:59
品牌 Logo 应用领域
美国微芯 - MICROCHIP 闪存微控制器
页数 文件大小 规格书
396页 6639K
描述
64/80-Pin High-Performance, 64-Kbyte Enhanced Flash Microcontrollers with A/D

PIC18F8525-I/PT 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended零件包装代码:QFP
包装说明:TQFP-80针数:80
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.31.00.01Factory Lead Time:18 weeks
风险等级:7.68具有ADC:YES
地址总线宽度:16位大小:8
CPU系列:PIC18最大时钟频率:10 MHz
DAC 通道:NODMA 通道:NO
外部数据总线宽度:16格式:FIXED POINT
集成缓存:NOJESD-30 代码:S-PQFP-G80
JESD-609代码:e3长度:12 mm
低功率模式:NO湿度敏感等级:3
DMA 通道数量:外部中断装置数量:4
I/O 线路数量:70串行 I/O 数:2
端子数量:80计时器数量:5
片上数据RAM宽度:8片上程序ROM宽度:16
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
PWM 通道:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TFQFP封装等效代码:TQFP80,.55SQ
封装形状:SQUARE封装形式:FLATPACK, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度):260电源:5 V
认证状态:Not QualifiedRAM(字节):3840
RAM(字数):3840ROM(单词):24576
ROM可编程性:FLASH座面最大高度:1.2 mm
速度:40 MHz子类别:Microcontrollers
最大压摆率:51 mA最大供电电压:5.5 V
最小供电电压:4.2 V标称供电电压:5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:QUAD处于峰值回流温度下的最长时间:40
宽度:12 mmuPs/uCs/外围集成电路类型:MICROCONTROLLER, RISC
Base Number Matches:1

PIC18F8525-I/PT 数据手册

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PIC18F6525/6621/8525/8621  
Data Sheet  
64/80-Pin High-Performance,  
64-Kbyte Enhanced Flash  
Microcontrollers with A/D  
2005 Microchip Technology Inc.  
DS39612B  

PIC18F8525-I/PT 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PIC18F8525-I/PTQTP MICROCHIP

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64/80-Pin High-Performance, 64-Kbyte Enhanced Flash Microcontrollers with A/D
PIC18F8525-I/PTSQTP MICROCHIP

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64/80-Pin High-Performance, 64-Kbyte Enhanced Flash Microcontrollers with A/D
PIC18F8525-IPTQTP MICROCHIP

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64/80-Pin High Performance, 64-Kbyte Enhanced FLASH Microcontrollers with A/D
PIC18F8525-IPTSQTP MICROCHIP

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64/80-Pin High Performance, 64-Kbyte Enhanced FLASH Microcontrollers with A/D
PIC18F8525T-E/PT MICROCHIP

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64/80-Pin High-Performance, 64-Kbyte Enhanced Flash Microcontrollers with A/D
PIC18F8525T-E/PTQTP MICROCHIP

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64/80-Pin High-Performance, 64-Kbyte Enhanced Flash Microcontrollers with A/D
PIC18F8525T-E/PTSQTP MICROCHIP

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