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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | SOIC | 包装说明： | PLASTIC, LFPAK-5 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.24 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 53 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 63 A | 最大漏极电流 (ID)： | 63 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0125 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | MO-235 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G4 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 62.5 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 214 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| HAT2168H-EL-E | RENESAS |
功能相似  |
Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PH9084.011NL | PULSE |
获取价格 |
Isolation Power Transformers |
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| PH9084.011NLT | PULSE |
获取价格 |
XFMR GATE-DR 1CT:1CT SM NPB |
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| PH9084.021NL | PULSE |
获取价格 |
Isolation Power Transformers |
|
| PH9084.021NLT | PULSE |
获取价格 |
XFMR GATE-DR 2CT:1CT SM NPB |
|
| PH9084.034NL | PULSE |
获取价格 |
Isolation Power Transformers |
|
| PH9084.034NLT | PULSE |
获取价格 |
XFMR GATE-DR 3CT:4CT SM NPB |
|
| PH9084.043NL | PULSE |
获取价格 |
Isolation Power Transformers |
|
| PH9084.043NLT | PULSE |
获取价格 |
XFMR GATE-DR 4CT:3CT SM NPB |
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| PH9085.011NL | PULSE |
获取价格 |
Isolation Power Transformers |
|
| PH9085.011NLT | PULSE |
获取价格 |
IND PWR 3.0X3.0X1.2 1.0UH SMT |
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