Datasheet > PG24EBUSC

PG24EBUSC

更新时间： 2024-02-02 23:48:34

品牌	Logo	应用领域
KEC		二极管电视光电二极管电子便携式局域网
页数	文件大小	规格书
2页	33K
描述
Single Line TVS Diode for ESD Protection in Portable Electronics

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

PG24EBUSC 技术参数

生命周期：	Not Recommended	包装说明：	R-PDSO-C2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.71	最大击穿电压：	29.5 V
最小击穿电压：	26.7 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-C2	最大非重复峰值反向功率耗散：	600 W
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性：	UNIDIRECTIONAL
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	24 V
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

PG24EBUSC 数据手册

PG24EBUSC

SEMICONDUCTOR

Single Line TVS Diode for ESD

Protection in Portable Electronics

TECHNICAL DATA

Protection in Portable Electronics Applications.

FEATURES

· 350 Watts peak pulse power (tp=8/20μs)

· Transient protection for data lines to

IEC 61000-4-2(ESD) 15kV(Air), 8kV(Contact)

IEC 61000-4-4(EFT) 40A(tp=5/50ns)

IEC 61000-4-5(Lightning) 8A(tp=8/20μs)

· Bidirectional Type Pin Configuration Structure.

· Small package for use in portable electronics.

· Suitable replacement for Multi-Layer Varistors in ESD protection applications.

· Protects on I/O or power line.

DIM

MILLIMETERS

2.50+0.1

1.25+0.05

0.90 0.05

0.30+0.06/-0.04

1.70 0.05

MIN 0.17

· Low clamping voltage.

0.126 0.03

· Low leakage current.

1. ANODE

2. ANODE

0~0.1

1.0 MAX

0.15+0.05

0.4+0.05

+4/-2

APPLICATIONS

4~6

· Cell phone handsets and accessories.

· Microprocessor based equipment.

· Personal digital assistants (PDA’s)

· Notebooks, desktops, & servers.

· Portable instrumentation.

USC

· Pagers peripherals.

Marking

MAXIMUM RATING (Ta=25℃)

Lot No.

CHARACTERISTIC

SYMBOL

RATING

350

UNIT

P_PK

I_PP

T_j

Peak Pulse Power (tp=8/20μs)

Peak Pulse Current (tp=8/20μs)

Operating Temperature

Type Name

-55∼ 150

℃

T_stg

Storage Temperature

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃)

CHARACTERISTIC

Reverse Stand-Off Voltage

Reverse Breakdown Voltage

Reverse Leakage Current

Clamping Voltage

SYMBOL

TEST CONDITION

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

V_RWM

V_BR

I_R

I_t=1mA

V_RWM=24V

26.7

μA

V_C

I_PP=8A, tp=8/20μs

C_J

V_R=0V, f=1MHz

Junction Capacitance

2008. 9. 11

Revision No : 1

1/2

下载PDF

与PG24EBUSC相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
PG24EXUS6	KEC	TVS Diode Array for ESD Protection in Portable Electronics	获取价格
PG24FAS23	KEC	TVS Diode Array for ESD Protection in Portable Electronics	获取价格
PG24FBTS6	KEC	TVS Diode Array for ESD Protection in Portable Electronics	获取价格
PG24FSUSC	KEC	Single Line TVS Diode for ESD Protection in Portable Electronics	获取价格
PG24FXTS6	KEC	TVS Diode Array for ESD Protection in Portable Electronics	获取价格
PG24JSSMA	KEC	Single Line TVS Diode for ESD Protection	获取价格