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PG24EBUSC PDF预览

PG24EBUSC

更新时间： 2024-11-09 10:13:39
品牌 Logo 应用领域
KEC 二极管电视光电二极管电子便携式局域网
页数 文件大小 规格书
2页 33K
描述
Single Line TVS Diode for ESD Protection in Portable Electronics

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PG24EBUSC 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PDSO-G2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：5.74
Is Samacsys：N最小击穿电压：26.7 V
击穿电压标称值：27.2 V最大钳位电压：45 V
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-G2
最大非重复峰值反向功率耗散：350 W元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性：BIDIRECTIONAL认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：24 V子类别：Transient Suppressors
表面贴装：YES技术：AVALANCHE
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

PG24EBUSC 数据手册

 浏览型号PG24EBUSC的Datasheet PDF文件第2页 
PG24EBUSC  
SEMICONDUCTOR  
Single Line TVS Diode for ESD  
Protection in Portable Electronics  
TECHNICAL DATA  
Protection in Portable Electronics Applications.  
G
B
1
FEATURES  
· 350 Watts peak pulse power (tp=8/20μs)  
· Transient protection for data lines to  
IEC 61000-4-2(ESD) 15kV(Air), 8kV(Contact)  
IEC 61000-4-4(EFT) 40A(tp=5/50ns)  
IEC 61000-4-5(Lightning) 8A(tp=8/20μs)  
· Bidirectional Type Pin Configuration Structure.  
· Small package for use in portable electronics.  
· Suitable replacement for Multi-Layer Varistors in ESD protection applications.  
· Protects on I/O or power line.  
H
2
J
D
C
I
DIM  
A
B
MILLIMETERS  
_
2.50+0.1  
_
1.25+0.05  
_
+
0.90 0.05  
C
D
E
0.30+0.06/-0.04  
M
M
_
+
1.70 0.05  
F
MIN 0.17  
_
· Low clamping voltage.  
+
0.126 0.03  
G
H
I
· Low leakage current.  
1. ANODE  
2. ANODE  
0~0.1  
1.0 MAX  
_
0.15+0.05  
J
_
0.4+0.05  
K
L
2
+4/-2  
APPLICATIONS  
M
4~6  
· Cell phone handsets and accessories.  
· Microprocessor based equipment.  
· Personal digital assistants (PDA’s)  
· Notebooks, desktops, & servers.  
· Portable instrumentation.  
USC  
· Pagers peripherals.  
Marking  
MAXIMUM RATING (Ta=25℃)  
Lot No.  
CHARACTERISTIC  
SYMBOL  
RATING  
350  
UNIT  
W
2
1
PPK  
IPP  
Tj  
Peak Pulse Power (tp=8/20μs)  
Peak Pulse Current (tp=8/20μs)  
Operating Temperature  
4E  
8
A
Type Name  
-55∼ 150  
-55∼ 150  
℃
Tstg  
Storage Temperature  
℃
2
1
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃)  
CHARACTERISTIC  
Reverse Stand-Off Voltage  
Reverse Breakdown Voltage  
Reverse Leakage Current  
Clamping Voltage  
SYMBOL  
TEST CONDITION  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
V
VRWM  
VBR  
IR  
-
-
-
-
-
-
-
24  
-
It=1mA  
VRWM=24V  
26.7  
V
-
-
-
1
μA  
V
VC  
IPP=8A, tp=8/20μs  
45  
50  
CJ  
VR=0V, f=1MHz  
Junction Capacitance  
pF  
2008. 9. 11  
Revision No : 1  
1/2  
12

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