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PG24EXUS6

更新时间： 2024-11-09 10:13:39
品牌 Logo 应用领域
KEC 二极管电视光电二极管电子便携式局域网
页数 文件大小 规格书
2页 32K
描述
TVS Diode Array for ESD Protection in Portable Electronics

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PG24EXUS6 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.74Is Samacsys：N
最小击穿电压：26.7 V配置：COMMON ANODE, 5 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-G6最大非重复峰值反向功率耗散：100 W
元件数量：5端子数量：6
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性：UNIDIRECTIONAL
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：24 V
表面贴装：YES技术：AVALANCHE
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

PG24EXUS6 数据手册

 浏览型号PG24EXUS6的Datasheet PDF文件第2页 
PG24EXUS6  
SEMICONDUCTOR  
TVS Diode Array for ESD  
TECHNICAL DATA  
Protection in Portable Electronics  
Protection in Portable Electronics Applications.  
B
FEATURES  
B1  
· 100 Watts peak pulse power (tp=8/20μs)  
· Transient protection for data lines to  
IEC 61000-4-2(ESD) 15kV(Air), 8kV(Contact).  
IEC 61000-4-4(EFT) 40A (tp=5/50㎱)  
IEC 61000-4-5(Lightning) 1.8A (tp=8/20μs)  
· Protects five I/O lines.  
DIM MILLIMETERS  
_
1
2
3
6
5
4
A
A1  
B
2.00+0.20  
_
1.3+0.1  
_
2.1+0.1  
D
_
1.25+0.1  
B1  
C
0.65  
0.2+0.10/-0.05  
0-0.1  
D
G
_
0.9+0.1  
H
T
0.15+0.1/-0.05  
T
· Low clamping voltage.  
· Low operating and leakage current.  
· Small package for use in portable electronics.  
G
1. D1  
2. COMMON ANODE  
3. D2  
4. D3  
5. D4  
6. D5  
APPLICATIONS  
· Cell phone handsets and accessories.  
· Cordless phones.  
· Personal digital assistants (PDA’s)  
· Notebooks, desktops, & servers.  
· Portable instrumentation.  
· Set-Top Box, DVD Player.  
· Digital Camera.  
US6  
Marking  
6
5
4
Lot No.  
MAXIMUM RATING (Ta=25℃)  
CHARACTERISTIC  
SYMBOL  
RATING  
100  
UNIT  
W
Type Name  
PPK  
IPP  
Tj  
Peak Pulse Power (tp=8/20μs)  
Peak Pulse Current (tp=8/20μs)  
Operating Temperature  
4X  
1.8  
A
-55∼ 150  
-55∼ 150  
℃
1
2
3
Tstg  
Storage Temperature  
℃
6
5
4
3
D5  
D1  
D4  
D3  
D2  
1
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃)  
CHARACTERISTIC  
Reverse Stand-Off Voltage  
Reverse Breakdown Voltage  
Reverse Leakage Current  
Clamping Voltage  
SYMBOL  
TEST CONDITION  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
V
VRWM  
VBR  
IR  
-
-
-
-
-
-
24  
-
It=1mA  
VRWM=24V  
26.7  
V
-
-
1
μA  
V
VC  
IPP=1.8A, tp=8/20μs  
VR=0V, f=1MHz  
55.5  
CJ  
Junction Capacitance  
-
-
40  
pF  
Between I/O Pins and GND  
2008. 9. 11  
Revision No : 2  
1/2  
12

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