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PG24EXUS6

更新时间： 2024-02-02 22:38:34

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2页	32K
描述
TVS Diode Array for ESD Protection in Portable Electronics

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PG24EXUS6 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.74	Is Samacsys：	N
最小击穿电压：	26.7 V	配置：	COMMON ANODE, 5 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	最大非重复峰值反向功率耗散：	100 W
元件数量：	5	端子数量：	6
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性：	UNIDIRECTIONAL
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	24 V
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

PG24EXUS6 数据手册

PG24EXUS6

SEMICONDUCTOR

TVS Diode Array for ESD

TECHNICAL DATA

Protection in Portable Electronics

Protection in Portable Electronics Applications.

FEATURES

· 100 Watts peak pulse power (tp=8/20μs)

· Transient protection for data lines to

IEC 61000-4-2(ESD) 15kV(Air), 8kV(Contact).

IEC 61000-4-4(EFT) 40A (tp=5/50㎱)

IEC 61000-4-5(Lightning) 1.8A (tp=8/20μs)

· Protects five I/O lines.

DIM MILLIMETERS

2.00+0.20

1.3+0.1

2.1+0.1

1.25+0.1

0.65

0.2+0.10/-0.05

0-0.1

0.9+0.1

0.15+0.1/-0.05

· Low clamping voltage.

· Low operating and leakage current.

· Small package for use in portable electronics.

1. D1

2. COMMON ANODE

3. D2

4. D3

5. D4

6. D5

APPLICATIONS

· Cell phone handsets and accessories.

· Cordless phones.

· Personal digital assistants (PDA’s)

· Notebooks, desktops, & servers.

· Portable instrumentation.

· Set-Top Box, DVD Player.

· Digital Camera.

US6

Marking

Lot No.

MAXIMUM RATING (Ta=25℃)

CHARACTERISTIC

SYMBOL

RATING

100

UNIT

Type Name

P_PK

I_PP

T_j

Peak Pulse Power (tp=8/20μs)

Peak Pulse Current (tp=8/20μs)

Operating Temperature

1.8

-55∼ 150

℃

T_stg

Storage Temperature

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃)

CHARACTERISTIC

Reverse Stand-Off Voltage

Reverse Breakdown Voltage

Reverse Leakage Current

Clamping Voltage

SYMBOL

TEST CONDITION

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

V_RWM

V_BR

I_R

I_t=1mA

V_RWM=24V

26.7

μA

V_C

I_PP=1.8A, tp=8/20μs

V_R=0V, f=1MHz

55.5

C_J

Junction Capacitance

Between I/O Pins and GND

2008. 9. 11

Revision No : 2

1/2

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