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PG24FBTS6

更新时间： 2025-09-18 10:13:39

品牌	Logo	应用领域
KEC		二极管电视电子便携式
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2页	397K
描述
TVS Diode Array for ESD Protection in Portable Electronics

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PG24FBTS6 数据手册

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PG24FBTS6

SEMICONDUCTOR

TVS Diode Array for ESD

TECHNICAL DATA

Protection in Portable Electronics

Protection in Portable Electronics Applications.

E

K

1

B

K

6

FEATURES

DIM MILLIMETERS

_

A

B

C

D

E

2.9+0.2

350 Watts peak pulse power (tp=8/20 s)

Transient protection for data lines to

IEC 61000-4-2(ESD) 15kV(Air), 8kV(Contact)

IEC 61000-4-4(EFT) 40A(tp=5/50ns)

IEC 61000-4-5(Lightning) 8A(tp=8/20 s)

Unidirectional protection of four I/O lines.

Low clamping voltage.

1.6+0.2/-0.1

_

0.70+0.05

_

+

0.4 0.1

2

5

2.8+0.2/-0.3

_

1.9+0.2

F

G

H

I

3

4

0.95

_

0.16+0.05

0.00-0.10

0.25+0.25/-0.15

0.60

J

K

L

0.55

Low operating and leakage current.

Small package for use in portable electronics.

I

H

J

J

1. (TVS) D1

2. COMMON ANODE

3. (TVS) D2

APPLICATIONS

4. (TVS) D3

5. COMMON ANODE

6. (TVS) D4

Cell phone handsets and accessories.

Cordless Phones.

Personal digital assistants (PDA’s)

Notebooks, desktops PC & servers.

Portable instrumentation.

Set-Top Bosx, DVD Player.

Digital Camera.

TS6

Marking

6

5

4

MAXIMUM RATING (Ta=25

CHARACTERISTIC

)

Lot No.

SYMBOL

RATING

350

UNIT

W

P_PK

I_PP

T_j

4F

Peak Pulse Power (tp=8/20 s)

Peak Pulse Current (tp=8/20 s)

Operating Temperature

8

A

-55 150

-55 150

1

2

3

T_stg

Storage Temperature

6

1

5

4

3

D3

D4

D1

D2

2

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25

)

CHARACTERISTIC

Reverse Stand-Off Voltage

Reverse Breakdown Voltage

Reverse Leakage Current

SYMBOL

V_RWM

V_BR

TEST CONDITION

-

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

V

-

-

-

-

-

-

24

-

I_t=1mA

26.7

V

I_R

V_RWM=24V

-

-

-

1

A

I_PP=5A, tp=8/20 s

40

44

V_C

C_J

Clamping Voltage

V

I_PP=8A, tp=8/20 s

V_R=0V, f=1MHz

Junction Capacitance

-

60

75

pF

Between I/O Pins and GND

2003. 7. 10

Revision No : 0

1/2

12

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