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PFB10R06KL4

更新时间： 2024-11-09 23:27:27

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其他 - ETC		双极性晶体管
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IGBT Module

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PFB10R06KL4 数据手册

Technische Information / Technical Information

IGBT-Module

IGBT-Modules

FB10R06KL4

Vorläufig

Preliminary

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier

Periodische Rückw. Spitzensperrspannung

T_vj=25°C

V_RRM

800

repetitive peak reverse voltage

Durchlaßstrom Grenzeffektivwert pro Chip

RMS forward current per chip

T_C=80°C

I_FRMSM

Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom

T_C=80°C

I_RMSmax

I_FSM

maximum RMS current at Rectifier output

t_P= 10 ms, T_vj= 25°C

t_P= 10 ms, T_vj= 150°C

t_P= 10 ms, T_vj= 25°C

t_P= 10 ms, T_vj= 150°C

Stoßstrom Grenzwert

surge forward current

Grenzlastintegral

I²t - value

197

158

194

125

I²t

A²s

Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

collector-emitter voltage

T_vj=25°C

V_CES

600

T_C=80°C

T_C= 25 °C

I_C,nom.

I_C

Kollektor-Dauergleichstrom

DC-collector current

Periodischer Kollektor Spitzenstrom

repetitive peak collector current

t_P= 1 ms,

T_C= 25°C

T_c=80°C

I_CRM

P_tot

Gesamt-Verlustleistung

total power dissipation

Gate-Emitter-Spitzenspannung

gate-emitter peak voltage

V_GES

+/- 20V

Diode Wechselrichter/ Diode Inverter

Dauergleichstrom

DC forward current

I_F

Periodischer Spitzenstrom

repetitive peak forw. current

t_P= 1 ms

I_FRM

Grenzlastintegral

I²t - value

I²t

A²s

V_R= 0V, t_p= 10ms, T_vj= 125°C

prepared by: Thomas Passe

approved by: Ingo Graf

date of publication: 2002-02-13

revision: 7

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