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PDZ9.1B/T1

更新时间: 2024-09-14 05:51:15
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恩智浦 - NXP 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 67K
描述
9.1V, 0.4W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, PLASTIC, SC-76, 2 PIN

PDZ9.1B/T1 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SC-76
包装说明:R-PDSO-G2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.32
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-G2
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.4 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:9.1 V
表面贴装:YES技术:ZENER
端子面层:TIN端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
最大电压容差:2.1%工作测试电流:5 mA

PDZ9.1B/T1 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
PDZ-B series  
Voltage regulator diodes  
Product specification  
2004 Mar 22  
Supersedes data of 2002 Feb 18  

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