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PDZV33B

更新时间: 2024-11-01 00:56:47
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罗姆 - ROHM /
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8页 1602K
描述
Zener Diode

PDZV33B 数据手册

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PDZV33A  
Zener Diode  
Data sheet  
ꢀ ꢀ ꢀ  
Inner Circuit  
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ  
ꢀꢀꢀ  
ꢀ ꢀ ꢀ  
P
1000  
mW  
D
ꢀ ꢀ ꢀ  
Features  
Inner Circuit  
High reliability  
Small power mold type  
Application  
Packaging Specifications  
Packing  
Embossed Tape  
Voltage regulation  
180  
8
3000  
TR  
Reel Size(mm)  
Taping Width(mm)  
Basic Ordering Unit(pcs)  
Taping Code  
Structure  
Silicon Epitaxial Planar  
33A  
Marking  
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
(T = 25)  
Absolute Maximum Ratings  
a
Parameter  
Power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
Symbol  
Limits  
1000  
150  
Unit  
mW  
P
D
T
j
T
stg  
-55 150ꢀ  
(T = 25)  
Characteristic  
a
Parameter  
Zener Voltage  
Symbol  
Conditions  
I =10mA  
Z
I =10mA  
Z
V =25.0V  
R
Min. Typ. Max. Unit  
V
31.000  
-
-
-
35.000 V  
Z
Z
Z
I
R
Dynamic Impedance  
Reverse Current  
-
-
18  
10  
Ω
μA  
V test time is 40ms.  
Z
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
www.rohm.com  
©2017 ROHMCo., Ltd.All rights reserved.  
ꢀ ꢀ ꢀ  
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
1/4  
2017/04/07_Rev.001  

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