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PDTC143TU PDF预览

PDTC143TU

更新时间： 2024-10-31 22:50:43
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
14页 91K
描述
NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kOHM, R2 = open

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PDTC143TU 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SC-70
包装说明：PLASTIC, SC-70, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.13
Is Samacsys：N其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTORS
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：200
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

PDTC143TU 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
PDTC143T series  
NPN resistor-equipped transistors;  
R1 = 4.7 kΩ, R2 = open  
Product specification  
2004 Aug 06  
Supersedes data of 2004 Apr 06  
1234567...14

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PDTC143TU 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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