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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SOJ, SOJ32,.44 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.B |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.11 |
| 最长访问时间： | 12 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-J32 | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 128KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOJ | 封装等效代码： | SOJ32,.44 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.0005 A | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.22 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| PDM41024LA12SOITR | ETC | 1 Megabit Static RAM 128K x 8-Bit |
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| PDM41024LA12SOITY | ETC | 1 Megabit Static RAM 128K x 8-Bit |
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| PDM41024LA12SOTR | IXYS | Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32 |
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| PDM41024LA12SOTY | ETC | 1 Megabit Static RAM 128K x 8-Bit |
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| PDM41024LA12T | IXYS | Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32 |
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| PDM41024LA12TA | ETC | 1 Megabit Static RAM 128K x 8-Bit |
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