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PDM41024LA12SOI

更新时间: 2024-01-29 10:43:32
品牌 Logo 应用领域
IXYS 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 235K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32

PDM41024LA12SOI 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:SOJ, SOJ32,.44
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A991.B.2.B
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.11
最长访问时间:12 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-J32内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:128KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装等效代码:SOJ32,.44
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.0005 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.22 mA
最大供电电压 (Vsup):5.25 V最小供电电压 (Vsup):4.75 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

PDM41024LA12SOI 数据手册

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PDM41024  
Write Cycle No. 3 (Chip Enable Controlled)  
t
WC  
1
2
ADDR  
t
t
AH  
AW  
t
t
AS  
CW  
CE2  
CE1  
t
3
WP1  
WE  
t
t
DH  
DS  
D
DATA VALID  
IN  
HIGH-Z  
D
OUT  
NOTE: Output Enable (OE) is inactive (high)  
5
6
AC Electrical Characteristics  
(7)  
(7)  
Description  
-10  
-12  
-15  
WRITE Cycle  
Sym  
Min. Max. Min. Max. Min. Max. Units  
7
WRITE cycle time  
t
t
10  
10  
10  
0
12  
10  
10  
0
15  
11  
11  
0
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
WC  
Chip enable active time  
Address valid to end of write  
Address setup time  
CW  
t
AW  
8
t
AS  
AH  
Address hold from end of write  
Write pulse width  
t
0
0
0
t
8
8
11  
12  
7
WP1  
WP2  
Write pulse width  
t
8
8
9
Data setup time  
t
7
7
DS  
Data hold time  
t
0
0
0
DH  
(1,3)  
(1,3)  
Write disable to output in low Z  
t
0
0
0
LZWE  
HZWE  
10  
11  
12  
Write enable to output in high Z  
t
7
7
7
SHADED AREA = PRELIMINARY DATA  
Notes referenced are after Data Retention Table  
Rev. 3.3 - 4/09/98  
7

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