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PD4M441L

更新时间: 2024-01-02 18:15:01
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NIEC /
页数 文件大小 规格书
3页 115K
描述
30A 450~500V

PD4M441L 技术参数

生命周期:Lifetime Buy包装说明:MODULE-7
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.33
外壳连接:ISOLATED配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压:450 V最大漏极电流 (ID):21 A
最大漏源导通电阻:0.21 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-XUFM-X7元件数量:2
端子数量:7工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):60 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

PD4M441L 数据手册

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PD4M441L  
P2H4M441L P2H4M440L  
PD4M440L  
MOSFET 30A 450500V  
PD4M441L/440L  
P2H4M441L/440L  
108.0  
108.0  
質量 Approximate Weight :220g  
最大定格 Maximum Ratings  
質量 Approximate Weight :220g  
記 号  
耐 圧・クラス Grade  
単位  
Symbol  
Unit  
Rating  
PD4M441L/P2H4M441L PD4M440L/P2H4M440L  
ドレイン・ソース間電圧  
450  
500  
VDSS  
VGSS  
ID  
V
V
Drain-Source Voltage  
VGS=0V  
ゲート・ソース間電圧  
Gate-Source Voltage  
±20  
Duty=50%  
D.C.  
ドレイン電流(連続)  
Continuous Drain Current  
30(Tc=25℃)  
21(Tc=25℃)  
A
パルスドレイン電流  
Pulsed Drain Current  
全損失  
60(Tc=25℃)  
230(Tc=25℃)  
40+150℃  
IDM  
PD  
A
W
Total Power Dissipation  
動作接合温度範囲  
Tjw  
Operating Junction Temperature Range  
保存温度範囲  
40+125℃  
Tstg  
Viso  
Ftor  
Storage Temperature Range  
絶縁耐圧  
2000  
V
RMS Isolation Voltage  
端子 - ベース間,AC1 分間 Terminals to Base, AC 1 min .  
3.0(本体取付 Module Base to Heat sink)  
2.0(ネジ端子部 Bus bar to Main Terminals)  
締付トルク  
Nm  
Mounting Torque  

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