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PCA8581CT

更新时间: 2024-11-11 22:38:35
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恩智浦 - NXP 存储内存集成电路光电二极管双倍数据速率可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
页数 文件大小 规格书
20页 135K
描述
128 x 8-bit EEPROM with I2C-bus interface

PCA8581CT 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SOIC
包装说明:3.90 MM, PLASTIC, MS-012AA, SOT-96-1, SOP-8针数:8
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.8
Is Samacsys:N其他特性:10 YEAR OF DATA RETENTION
最大时钟频率 (fCLK):0.1 MHz数据保留时间-最小值:10
耐久性:10000 Write/Erase CyclesI2C控制字节:1010DDDR
JESD-30 代码:R-PDSO-G8JESD-609代码:e4
长度:4.9 mm内存密度:1024 bit
内存集成电路类型:EEPROM内存宽度:8
湿度敏感等级:1功能数量:1
端子数量:8字数:128 words
字数代码:128工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-25 °C
组织:128X8输出特性:OPEN-DRAIN
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装等效代码:SOP8,.25封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:SERIAL
峰值回流温度(摄氏度):260电源:3/5 V
编程电压:3 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.75 mm串行总线类型:I2C
最大待机电流:0.00001 A子类别:EEPROMs
最大压摆率:0.001 mA最大供电电压 (Vsup):6 V
最小供电电压 (Vsup):2.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:OTHER端子面层:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
宽度:3.9 mm最长写入周期时间 (tWC):10 ms
Base Number Matches:1

PCA8581CT 数据手册

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INTEGRATED CIRCUITS  
DATA SHEET  
PCA8581; PCA8581C  
128 × 8-bit EEPROM with I2C-bus  
interface  
1997 Apr 02  
Product specification  
Supersedes data of 1996 Aug 19  
File under Integrated Circuits, IC12  

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