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PBLS6023D,115

更新时间： 2024-01-31 14:01:14

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恩智浦 - NXP		/
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16页	100K
描述
PBLS6023D - 60 V, 1.5 A PNP BISS loadswitch TSOP 6-Pin

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PBLS6023D,115 技术参数

Source Url Status Check Date：	2013-06-14 00:00:00	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TSOP
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.56	Is Samacsys：	N
Base Number Matches：	1

PBLS6023D,115 数据手册

PBLS6023D

NXP Semiconductors

60 V, 1.5 A PNP BISS loadswitch

006aab510

th(j-a)

(K/W)

δ = 1

0.75

0.33

0.50

0.20

0.05

0.10

0.02

0.01

−1

−5

−4

−3

−2

−1

(s)

Ceramic PCB, Al₂O₃, standard footprint

Fig 4. TR1 (PNP): Transient thermal impedance from junction to ambient as a function of pulse duration;

typical values

7. Characteristics

Table 7.

Characteristics

T_amb= 25 °C unless otherwise speciﬁed.

Symbol Parameter Conditions

TR1; PNP low V_CEsattransistor

Min

Typ

Max Unit

I_CBO

collector-base cut-off V_CB= −60 V; I_E= 0 A

−100 nA

current

V_CB= −60 V; I_E= 0 A;

−50

µA

T_j= 150 °C

I_CES

I_EBO

h_FE

collector-emitter

cut-off current

V_CE= −48 V; V_BE= 0 A

V_EB= −5 V; I_C= 0 A

−100 nA

emitter-base cut-off

current

DC current gain

V_CE= −2 V; I_C= −100 mA

V_CE= −2 V; I_C= −500 mA

V_CE= −2 V; I_C= −1 A

180

285

255

210

185

−65

[1]

150

140

V_CE= −2 V; I_C= −1.5 A

I_C= −0.5 A; I_B= −50 mA

I_C= −1 A; I_B= −50 mA

I_C= −1 A; I_B= −100 mA

I_C= −1.5 A; I_B= −100 mA

I_C= −1 A; I_B= −100 mA

I_C= −1.5 A; I_B= −100 mA

I_C= −0.5 A; I_B= −50 mA

I_C= −1.5 A; I_B= −100 mA

120

V_CEsat

collector-emitter

saturation voltage

−100 mV

−130 −200 mV

−110 −170 mV

−165 −260 mV

R_CEsat

collector-emitter

saturation resistance

110

170

175

mΩ

V_BEsat

base-emitter

saturation voltage

−0.85 −1

−0.93 −1.1

PBLS6023D_1

Product data sheet

Rev. 01 — 13 August 2009

6 of 16

1...3 4 567 8 9...16

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