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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> PBF493SRLRA
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PBF493SRLRA

更新时间： 2024-10-30 13:12:11
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 127K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92

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PBF493SRLRA 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.84
其他特性：TELECOM TRANSISTOR最大集电极电流 (IC)：0.5 A
基于收集器的最大容量：6 pF集电极-发射极最大电压：300 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：25
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：PNP功耗环境最大值：1.5 W
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：50 MHz
VCEsat-Max：0.5 VBase Number Matches：1

PBF493SRLRA 数据手册

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by PBF493/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
PNP Silicon  
COLLECTOR  
3
2
BASE  
1
EMITTER  
1
MAXIMUM RATINGS  
2
3
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
Vdc  
CASE 29–04, STYLE 1  
TO–92 (TO–226AA)  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
–300  
–300  
–5.0  
Vdc  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
I
C
–500  
mAdc  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
A
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.5  
12  
Watts  
mW/°C  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
200  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
JA  
JC  
83.3  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
(1)  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = –1.0 mAdc, I = 0)  
V
V
–300  
–300  
–5.0  
—
—
—
Vdc  
Vdc  
(BR)CEO  
C
B
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = –10 Adc, I = 0)  
(BR)CBO  
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = –100 Adc, I = 0)  
V
—
Vdc  
(BR)EBO  
E
C
Collector Cutoff Current  
(V = –200 Vdc, I = 0)  
I
–0.25  
–20  
–250  
µAdc  
nAdc  
nAdc  
CBO  
CB  
Emitter Cutoff Current  
(V = –3.0 Vdc)  
E
I
—
EBO  
EB  
Collector Cutoff Current  
(V = –10 Vdc)  
I
—
CEO  
CE  
1. Pulse Test: Pulse Width  
300 s; Duty Cycle  
2.0%.  
Motorola, Inc. 1996
1234

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与PBF493SRLRA相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PBF493SRLRB MOTOROLA

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 		500mA, 300V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
PBF493SRLRE MOTOROLA

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
PBF493SRLRF MOTOROLA

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
PBF493ZL1 MOTOROLA

获取价格

 		500mA, 300V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
PBF550004 DIODES

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 		Oscillator, 38.88MHz Min, 162MHz Max, 155.52MHz Nom,
PBF550007 DIODES

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 		Oscillator, 38.88MHz Min, 162MHz Max, 155.52MHz Nom,
PBFC450P15D KYOCERA AVX

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 		Ceramic BPF, 0.45MHz

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